買專利賣專利找龍圖騰，真高效！ 查專利查商標用IPTOP,全免費！專利年費監控用IP管家,真方便！

龍圖騰網獲悉三星電子株式會社申請的專利半導體器件及其制造方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN116344582B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-12發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202310300354.7，技術領域涉及：H10D62/10；該發明授權半導體器件及其制造方法是由吳旼哲;樸世鎮設計研發完成，并于2017-05-17向國家知識產權局提交的專利申請。

本半導體器件及其制造方法在說明書摘要公布了：公開了一種半導體器件及其制造方法。該方法包括：在襯底上形成有源圖案，該襯底包括在第一方向上彼此相鄰的第一邏輯單元區域和第二邏輯單元區域；以及在襯底上形成暴露有源圖案的上部的器件隔離層。形成有源圖案包括：形成在第一方向上彼此平行地延伸并跨過第一邏輯單元區域和第二邏輯單元區域的第一線掩模圖案；在第一線掩模圖案上形成上分隔掩模圖案，上分隔掩模圖案包括交疊第一線掩模圖案中的至少兩個的第一開口；從該至少兩個第一線掩模圖案形成第一硬掩模圖案；以及蝕刻襯底以形成限定有源圖案的溝槽。

本發明授權半導體器件及其制造方法在權利要求書中公布了：1.一種半導體器件，包括： 襯底，其包括沿著第一方向彼此相鄰的第一單元區域和第二單元區域，第一單元邊界插置在其間并沿著交叉所述第一方向的第二方向延伸； 第一有源圖案，其沿著所述第二方向布置在所述第一單元區域和所述第二單元區域上，所述第一有源圖案的每個沿著所述第一方向延伸但是不交叉所述第一單元邊界； 器件隔離層，其在所述襯底上并暴露所述第一有源圖案的上部，所述器件隔離層包括： 第一雙擴散中斷區域，其被設置在所述第一單元邊界上并在位于不同的單元區域上且沿著所述第一方向彼此相鄰的成對的第一有源圖案之間，所述第一有源圖案為至少兩對；以及 第一單擴散中斷區域，其被設置在從由所述第一單元區域和所述第二單元區域構成的組中選擇的至少一個上，并在位于相同單元區域上且沿著所述第一方向彼此相鄰的成對的第一有源圖案之間；以及 第一柵極圖案，其交叉所述第一有源圖案；以及 第一源極漏極區域，其在所述第一柵極圖案與所述第一單擴散中斷區域之間的所述第一有源圖案的上部中，其中所述第一源極漏極區域包括外延層并且具有從所述第一柵極圖案向下延伸到所述第一單擴散中斷區域的傾斜表面。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人三星電子株式會社，其通訊地址為：韓國京畿道；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。