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龍圖騰網(wǎng)獲悉意法半導(dǎo)體股份有限公司申請的專利制造具有改善的空間占用率的集成部件的方法以及集成部件獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號為：CN111463148B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-09-12發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請?zhí)?專利號為：202010072318.6，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H01L21/67；該發(fā)明授權(quán)制造具有改善的空間占用率的集成部件的方法以及集成部件是由L·塞吉齊;L·蒙塔格納;G·維薩利;M·阿茲佩蒂亞·尤爾奎亞設(shè)計(jì)研發(fā)完成，并于2020-01-21向國家知識產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請。

本制造具有改善的空間占用率的集成部件的方法以及集成部件在說明書摘要公布了：本公開的實(shí)施例涉及制造具有改善的空間占用率的集成部件的方法以及集成部件。一種半導(dǎo)體材料的第一晶片具有表面。一種半導(dǎo)體材料的第二晶片包括襯底和在該襯底上的結(jié)構(gòu)層。結(jié)構(gòu)層集成了用于監(jiān)測電磁輻射的檢測器設(shè)備。第二晶片的結(jié)構(gòu)層被耦合到第一晶片的表面。第二晶片的襯底被成形以形成微鏡的定子、轉(zhuǎn)子和移動(dòng)質(zhì)量塊。定子和轉(zhuǎn)子形成用于電容性地驅(qū)動(dòng)移動(dòng)質(zhì)量塊的組件。

本發(fā)明授權(quán)制造具有改善的空間占用率的集成部件的方法以及集成部件在權(quán)利要求書中公布了：1.一種制造集成部件的方法，包括： 提供半導(dǎo)體材料的第一晶片，所述第一晶片具有表面； 提供半導(dǎo)體材料的第二晶片，所述第二晶片包括襯底和在所述襯底上的結(jié)構(gòu)層，所述結(jié)構(gòu)層集成了被配置為檢測電磁輻射的檢測器設(shè)備； 將所述第二晶片的所述結(jié)構(gòu)層耦合到所述第一晶片的所述表面；以及 處理所述第二晶片的所述襯底以形成微鏡的定子、轉(zhuǎn)子、以及移動(dòng)質(zhì)量塊，所述定子和所述轉(zhuǎn)子形成用于電容性地驅(qū)動(dòng)所述移動(dòng)質(zhì)量塊的電容性驅(qū)動(dòng)組件。

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