應(yīng)用材料公司孫顒獲國家專利權(quán)
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龍圖騰網(wǎng)獲悉應(yīng)用材料公司申請的專利以高能量低劑量等離子體后處理氮化硅基的介電膜的方法獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號為：CN114127898B 。
龍圖騰網(wǎng)通過國家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-09-12發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請?zhí)?專利號為：202080041799.2，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H01L21/3105；該發(fā)明授權(quán)以高能量低劑量等離子體后處理氮化硅基的介電膜的方法是由孫顒;J·C·李;P·P·杰哈;梁璟梅;S·S·奧哈設(shè)計(jì)研發(fā)完成，并于2020-06-03向國家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請。
本以高能量低劑量等離子體后處理氮化硅基的介電膜的方法在說明書摘要公布了：一種對在基板的表面上形成的氮化硅SiN基的介電膜進(jìn)行后處理的方法，包括：將具有形成在其上的氮化硅SiN基的介電膜的基板定位在處理腔室中；以及使氮化硅SiN基的介電膜在處理腔室中暴露于含氦高能量低劑量等離子體。含氦高能量低劑量等離子體中的氦離子的能量在1eV與3.01eV之間，且含氦高能量低劑量等離子體中的氦離子的通量密度在5×1015個(gè)離子cm2·秒與1.37×1016個(gè)離子cm2·秒之間。
本發(fā)明授權(quán)以高能量低劑量等離子體后處理氮化硅基的介電膜的方法在權(quán)利要求書中公布了：1.一種對在基板的表面上形成的氮化硅SiN基的介電膜進(jìn)行后處理的方法，包括： 將基板定位在處理腔室中，所述基板具有形成在所述基板上的氮化硅SiN基的介電膜；以及 使所述氮化硅SiN基的介電膜在所述處理腔室中暴露于含氦等離子體，其中 所述含氦等離子體中的多個(gè)氦離子的能量在1eV與3.01eV之間，并且 所述含氦等離子體中的所述氦離子的通量密度在5×1015個(gè)離子cm2·秒與1.37×1016個(gè)離子cm2·秒之間。
如需購買、轉(zhuǎn)讓、實(shí)施、許可或投資類似專利技術(shù)，可聯(lián)系本專利的申請人或?qū)＠麢?quán)人應(yīng)用材料公司，其通訊地址為：美國加利福尼亞州；或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服，聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。
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