華硼中子科技(杭州)有限公司王盛獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉華硼中子科技(杭州)有限公司申請的專利一種基板結構、靶系統及其制備方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN118591072B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-09發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202410505433.6，技術領域涉及：H05H6/00；該發明授權一種基板結構、靶系統及其制備方法是由王盛;王潔;謝宇鵬;胡耀程;楊一帆;胡澤鳴;吳濤;孫秋宇;司清宇設計研發完成，并于2024-04-25向國家知識產權局提交的專利申請。
本一種基板結構、靶系統及其制備方法在說明書摘要公布了：本發明涉及核技術領域，公開了一種基板結構、靶系統及其制備方法。該靶系統包括基板，所述基板的上表面為蜂窩狀結構，所述蜂窩狀結構中相鄰通孔之間的交界處設置有若干導流孔，各通孔內由下到上依次設置有氫擴散層、靶材層及氧化緩解層。本發明對靶系統的基板結構進行優化后可在靶材層發生核反應放出氫氣時，加快氫氣的擴散速度，從而顯著提高靶系統的使用壽命。
本發明授權一種基板結構、靶系統及其制備方法在權利要求書中公布了：1.一種靶系統，其特征在于：包括上表面為蜂窩狀結構的基板，蜂窩狀結構中相鄰通孔交界處設有若干導流孔； 各通孔內由下到上依次設有氫擴散層、靶材層； 氫擴散層以氫擴散系數為基板材質至少10000倍的高儲氫高氫擴散率材料為基質，基質中分散有與基板材質相同的元素； 自下到上，氫擴散層中與基板材質相同元素的含量逐漸降低； 氫擴散層由高儲氫高氫擴散率材料分多次填充于通孔內后激光燒結、再通過蒸鍍或濺射鍍膜或真空熱壓在通孔內壓注若干層高儲氫高氫擴散率材料后形成；每層激光燒結的激光功率Ct＝200W+20W*n-CC，n為總燒結層數，CC為當前燒結的層數。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人華硼中子科技(杭州)有限公司，其通訊地址為：310000 浙江省杭州市上城區九環路63號2幢A座135室；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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