蘇州樂琻半導體有限公司姜鎬在獲國家專利權
買專利賣專利找龍圖騰,真高效! 查專利查商標用IPTOP,全免費!專利年費監控用IP管家,真方便!
龍圖騰網獲悉蘇州樂琻半導體有限公司申請的專利表面發射激光器器件和包括其的發光器件獲國家發明授權專利權,本發明授權專利權由國家知識產權局授予,授權公告號為:CN114976862B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-23發布的發明授權授權公告中獲悉:該發明授權的專利申請號/專利號為:202210428611.0,技術領域涉及:H01S5/183;該發明授權表面發射激光器器件和包括其的發光器件是由姜鎬在;張正訓設計研發完成,并于2019-01-07向國家知識產權局提交的專利申請。
本表面發射激光器器件和包括其的發光器件在說明書摘要公布了:本申請實施例涉及表面發射激光器器件和包括其的發光器件,表面發射激光器器件包括:第一反射層,第一反射層包括第一導電摻雜劑;第二反射層,第二反射層包括第二導電摻雜劑;以及有源區,有源區被布置在第一反射層和第二反射層之間,有源區包括包含第一導電摻雜層的第一腔體,第一腔體與第一反射層相鄰,第一腔體包括基于AlxGaAs的層,0X1,第一腔體中的Al濃度被控制以在有源層的方向上降低。
本發明授權表面發射激光器器件和包括其的發光器件在權利要求書中公布了:1.一種表面發射激光器器件,包括: 第一反射層,所述第一反射層包括第一導電摻雜劑; 第二反射層,所述第二反射層包括第二導電摻雜劑;以及 有源區,所述有源區被布置在所述第一反射層和所述第二反射層之間, 其中,所述有源區包括包含第一導電摻雜層的第一腔體,包含第二導電摻雜層的第二腔體,以及設置于所述第一腔體和所述第二腔體之間的有源層, 其中,所述第一腔體與所述第一反射層相鄰, 其中,所述第一腔體包括基于AlxGaAs的層,0X1,所述第一腔體中的Al濃度被控制以在所述有源層的方向上降低, 其中,所述第二腔體的第二寬度大于所述第一腔體的第一寬度, 其中,所述第一反射層包括第一-第一層和設置在所述第一-第一層上的第一-第二層,所述第一-第一層具有第一鋁濃度,所述第一-第二層具有第二鋁濃度,所述第二鋁濃度高于所述第一鋁濃度,以及 其中,所述第一-第二層的厚度大于所述第一-第一層的厚度。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術,可聯系本專利的申請人或專利權人蘇州樂琻半導體有限公司,其通訊地址為:215499 江蘇省蘇州市太倉市常勝北路168號;或者聯系龍圖騰網官方客服,聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
1、本報告根據公開、合法渠道獲得相關數據和信息,力求客觀、公正,但并不保證數據的最終完整性和準確性。
2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解,僅供參考使用,不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。