英特爾公司劉海濤獲國家專利權(quán)
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龍圖騰網(wǎng)獲悉英特爾公司申請(qǐng)的專利閃存設(shè)備和相關(guān)方法獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán),本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局授予,授權(quán)公告號(hào)為:CN111149204B 。
龍圖騰網(wǎng)通過國家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-09-23發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉:該發(fā)明授權(quán)的專利申請(qǐng)?zhí)?專利號(hào)為:201880056387.9,技術(shù)領(lǐng)域涉及:H10B41/35;該發(fā)明授權(quán)閃存設(shè)備和相關(guān)方法是由劉海濤;黃廣宇;K.K.帕拉特;S.B.庫納爾;S.賈延蒂設(shè)計(jì)研發(fā)完成,并于2018-08-30向國家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請(qǐng)。
本閃存設(shè)備和相關(guān)方法在說明書摘要公布了:公開了閃存技術(shù)。在一個(gè)示例中,閃存單元可以包括電荷存儲(chǔ)結(jié)構(gòu)、與電荷存儲(chǔ)結(jié)構(gòu)橫向分離的控制柵極以及被部署在控制柵極與電荷存儲(chǔ)結(jié)構(gòu)之間的至少四個(gè)介電層。還公開了相關(guān)聯(lián)的系統(tǒng)和方法。
本發(fā)明授權(quán)閃存設(shè)備和相關(guān)方法在權(quán)利要求書中公布了:1.一種閃存設(shè)備,包括: 與彼此豎向間隔開的多個(gè)絕緣層; 延伸穿過所述多個(gè)絕緣層的豎向定向的導(dǎo)電溝道; 部署在相鄰絕緣層之間的電荷存儲(chǔ)結(jié)構(gòu); 控制柵極,其與所述電荷存儲(chǔ)結(jié)構(gòu)橫向分離,使得所述電荷存儲(chǔ)結(jié)構(gòu)處在所述控制柵極與所述導(dǎo)電溝道之間;以及 部署在所述控制柵極與所述電荷存儲(chǔ)結(jié)構(gòu)之間的至少四個(gè)介電層; 其中所述至少四個(gè)介電層中的一層與電荷存儲(chǔ)結(jié)構(gòu)相鄰,并且具有從大約1nm至大約5nm的厚度,并且其中所述至少四個(gè)介電層中的第一層與電荷存儲(chǔ)結(jié)構(gòu)相鄰,并且所述至少四個(gè)介電層中的第一層的厚度與第二層的厚度的比是從大約1:2至大約1:5。
如需購買、轉(zhuǎn)讓、實(shí)施、許可或投資類似專利技術(shù),可聯(lián)系本專利的申請(qǐng)人或?qū)@麢?quán)人英特爾公司,其通訊地址為:美國加利福尼亞州;或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服,聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。
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