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龍圖騰網(wǎng)獲悉QORVO美國(guó)公司申請(qǐng)的專利RF半導(dǎo)體裝置和其制造方法獲國(guó)家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號(hào)為：CN113614897B 。

龍圖騰網(wǎng)通過(guò)國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-09-26發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請(qǐng)?zhí)?專利號(hào)為：202080023386.1，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H01L23/31；該發(fā)明授權(quán)RF半導(dǎo)體裝置和其制造方法是由朱利奧·C·科斯塔;邁克爾·卡羅爾設(shè)計(jì)研發(fā)完成，并于2020-01-22向國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請(qǐng)。

本RF半導(dǎo)體裝置和其制造方法在說(shuō)明書(shū)摘要公布了：本公開(kāi)涉及一種射頻RF裝置，所述裝置包含模制裝置管芯和位于模制裝置管芯之下的多層重新分布結(jié)構(gòu)。模制裝置管芯包含裝置區(qū)域和第一模制化合物，所述裝置區(qū)域具有后段制程BEOL部分和位于BEOL部分之上的前段制程FEOL部分。FEOL部分包含有源層，所述有源層由應(yīng)變硅外延層形成，在300K的溫度下，所述應(yīng)變硅外延層中的晶格常數(shù)大于5.461。第一模制化合物位于有源層之上。在本文中，在第一模制化合物與有源層之間不存在硅晶體。多層重新分布結(jié)構(gòu)包含多個(gè)凸點(diǎn)結(jié)構(gòu)，所述多個(gè)凸點(diǎn)結(jié)構(gòu)位于多層重新分布結(jié)構(gòu)的底部處并且電耦接到模制裝置管芯的FEOL部分。

本發(fā)明授權(quán)RF半導(dǎo)體裝置和其制造方法在權(quán)利要求書(shū)中公布了：1.一種射頻裝置，其包括： 模制裝置管芯，所述模制裝置管芯包括裝置區(qū)域和第一模制化合物，其中： 所述裝置區(qū)域包含前段制程部分和位于前段制程部分之下的后段制程部分，其中所述前段制程部分包括有源層和隔離區(qū)段，所述隔離區(qū)段由二氧化硅組成、圍繞所述有源層并且豎直延伸超過(guò)所述有源層的頂表面以在所述隔離區(qū)段內(nèi)和所述有源層之上限定開(kāi)口； 所述有源層由應(yīng)變硅外延層形成，其中，在300K的溫度下，在應(yīng)變硅中硅的晶格常數(shù)大于5.461； 鈍化層，所述鈍化層位于所述有源層的所述頂表面之上并且位于所述開(kāi)口內(nèi)，其中，所述鈍化層由二氧化硅、氮化硅或兩者的組合形成；并且 所述第一模制化合物填充所述開(kāi)口并且與所述鈍化層接觸，其中在所述第一模制化合物與所述有源層之間不存在不具有鍺、氮或氧含量的硅晶體；以及 多層重新分布結(jié)構(gòu)，所述多層重新分布結(jié)構(gòu)形成于所述模制裝置管芯的后段制程部分之下，其中所述多層重新分布結(jié)構(gòu)包括多個(gè)凸點(diǎn)結(jié)構(gòu)，所述多個(gè)凸點(diǎn)結(jié)構(gòu)位于所述多層重新分布結(jié)構(gòu)的底表面上并且電耦接到所述模制裝置管芯的所述前段制程部分。

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