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龍圖騰網(wǎng)獲悉意法半導體股份有限公司申請的專利半導體管芯及其制造方法和容納管芯的封裝件獲國家發(fā)明授權專利權，本發(fā)明授權專利權由國家知識產(chǎn)權局授予，授權公告號為：CN111490016B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權局官網(wǎng)在2025-09-26發(fā)布的發(fā)明授權授權公告中獲悉：該發(fā)明授權的專利申請?zhí)?專利號為：202010076684.9，技術領域涉及：H01L23/00；該發(fā)明授權半導體管芯及其制造方法和容納管芯的封裝件是由D·G·帕蒂;M·A·阿萊奧設計研發(fā)完成，并于2020-01-23向國家知識產(chǎn)權局提交的專利申請。

本半導體管芯及其制造方法和容納管芯的封裝件在說明書摘要公布了：本文描述了半導體管芯及其制造方法和容納管芯的封裝件。一種半導體管芯包括具有功率區(qū)域和包圍功率區(qū)域的外圍區(qū)域的結構體。至少一個功率器件位于功率區(qū)域中。溝槽絕緣裝置沿第一方向從前側朝向后側在結構體中延伸，溝槽絕緣裝置被適配用于阻止熱沿著與第一方向正交的第二方向從功率區(qū)域朝向外圍區(qū)域傳導。溝槽絕緣裝置在第二方向上的延伸大于結構體沿第一方向的厚度。

本發(fā)明授權半導體管芯及其制造方法和容納管芯的封裝件在權利要求書中公布了：1.一種半導體結構，包括： 結構體，由半導體材料制成并且具有第一側和第二側，所述結構體的所述第一側包括第一區(qū)域和第二區(qū)域，所述第二區(qū)域至少部分地包圍所述第一區(qū)域； 至少一個低電壓半導體器件，被布置在所述第二區(qū)域中； 至少一個半導體功率器件，被布置在所述第一區(qū)域中； 導熱耦合界面，耦合在所述至少一個半導體功率器件與所述結構體之間； 第三區(qū)域，位于所述第一區(qū)域和所述第二區(qū)域之間，所述第三區(qū)域包括溝槽絕緣結構，所述溝槽絕緣結構在所述結構體中沿第一方向從所述第一側開始朝向所述第二側延伸，所述溝槽絕緣結構具有尺寸和材料以便形成沿基本上與所述第一方向正交的第二方向從所述第一區(qū)域朝向所述第二區(qū)域的熱傳導的障礙； 其中所述溝槽絕緣結構被形成為，使得其沿所述第二方向具有的延伸大于沿所述第一方向從所述第一側到所述第二側測量的所述結構體的厚度。

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