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龍圖騰網獲悉QORVO美國公司申請的專利RF半導體裝置和其制造方法獲國家發(fā)明授權專利權，本發(fā)明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN113632210B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-26發(fā)布的發(fā)明授權授權公告中獲悉：該發(fā)明授權的專利申請?zhí)?專利號為：202080023328.9，技術領域涉及：H01L21/56；該發(fā)明授權RF半導體裝置和其制造方法是由朱利奧·C·科斯塔;邁克爾·卡羅爾;菲利普·W·梅森;小梅里爾·阿爾貝特·哈徹設計研發(fā)完成，并于2020-01-22向國家知識產權局提交的專利申請。

本RF半導體裝置和其制造方法在說明書摘要公布了：本公開涉及一種射頻RF裝置，該RF裝置包含模制裝置管芯和位于模制裝置管芯之下的多層重新分布結構。模制裝置管芯包含裝置區(qū)域、導熱薄膜和第一模制化合物，裝置區(qū)域具有后段制程BEOL部分和位于BEOL部分之上的前段制程FEOL部分。FEOL部分包含隔離區(qū)段和有源層，有源層被隔離區(qū)段圍繞。熱導率大于10Wm·K并且電阻率大于1E5Ohm?cm的導熱薄膜位于有源層與第一模制化合物之間。在本文中，在第一模制化合物與有源層之間不存在硅晶體。多層重新分布結構包含多個凸點結構，多個凸點結構位于多層重新分布結構的底部處并且電耦接到模制裝置管芯的FEOL部分。

本發(fā)明授權RF半導體裝置和其制造方法在權利要求書中公布了：1.一種射頻裝置，其包括： 模制裝置管芯，所述模制裝置管芯包括裝置區(qū)域、導熱薄膜和第一模制化合物，其中： 所述裝置區(qū)域包含前段制程部分和位于所述前段制程部分之下的后段制程部分，其中： 所述前段制程部分包括隔離區(qū)段和有源層，所述有源層被所述隔離區(qū)段圍繞并且未豎直延伸超過所述隔離區(qū)段；以及 所述隔離區(qū)段由二氧化硅形成； 所述導熱薄膜至少位于所述前段制程部分的所述有源層的頂表面之上，其中所述導熱薄膜的熱導率大于10Wm·K并且電阻率大于1E5Ohm-cm；并且 所述第一模制化合物位于所述導熱薄膜和所述裝置區(qū)域之上，其中： 在所述第一模制化合物與所述有源層之間不存在不具有鍺、氮或氧含量的硅晶體；以及 所述隔離區(qū)段的頂表面與所述導熱薄膜或所述第一模制化合物接觸；以及 多層重新分布結構，所述多層重新分布結構形成于所述模制裝置管芯的所述后段制程部分之下，其中所述多層重新分布結構包括多個凸點結構，所述多個凸點結構位于所述多層重新分布結構的底表面上并且電耦接到所述模制裝置管芯的所述前段制程部分。

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