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龍圖騰網獲悉華虹半導體(無錫)有限公司申請的專利存儲器結構及其形成方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN119894004B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-23發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202510096871.6，技術領域涉及：H10B43/35；該發明授權存儲器結構及其形成方法是由申紅杰;何應春;顧林;王虎設計研發完成，并于2025-01-21向國家知識產權局提交的專利申請。

本存儲器結構及其形成方法在說明書摘要公布了：一種存儲器結構及其形成方法，其中方法包括：提供襯底，襯底包括若干有源區以及位于有源區兩側的隔離區；在有源區上依次形成第一子浮柵層以及控制柵介質層；以具有連接開口圖案的第一光刻膠層為掩膜，刻蝕控制柵介質層至暴露出第一子浮柵層表面，形成連接開口；在控制柵介質層上形成控制柵層，且控制柵層填充滿連接開口；以具有隔離開口圖案的第二光刻膠層為掩膜，刻蝕控制柵層、控制柵介質層至暴露出第一子浮柵層表面，形成隔離開口、控制柵以及第二子浮柵層，控制柵和第二子浮柵層位于隔離開口兩側。在所述第一子浮柵層基礎上增加了第二子浮柵層，增加了浮柵的厚度以及浮柵的刻蝕窗口，避免浮柵過薄導致的穿孔的情況以及電擊穿的問題。

本發明授權存儲器結構及其形成方法在權利要求書中公布了：1.一種存儲器結構的形成方法，其特征在于，包括： 提供襯底，所述襯底包括若干有源區以及位于有源區兩側的隔離區； 在所述有源區上依次形成第一子浮柵層以及控制柵介質層； 在所述控制柵介質層上形成第一光刻膠層； 對所述第一光刻膠層進行顯影曝光，形成具有連接開口圖案的第一光刻膠層； 以具有連接開口圖案的第一光刻膠層為掩膜，刻蝕所述控制柵介質層至暴露出所述第一子浮柵層表面，形成連接開口； 在所述控制柵介質層上形成控制柵層，且所述控制柵層填充滿所述連接開口； 在所述控制柵層上形成第二光刻膠層； 對所述第二光刻膠層進行顯影曝光，形成具有隔離開口圖案的第二光刻膠層； 以具有隔離開口圖案的第二光刻膠層為掩膜，刻蝕所述控制柵層、控制柵介質層至暴露出所述第一子浮柵層表面，形成隔離開口、控制柵以及第二子浮柵層，所述控制柵和所述第二子浮柵層位于所述隔離開口兩側，且第二子浮柵層，所述控制柵和所述隔離開口鄰接，所述第二子浮柵層和所述隔離開口鄰接，所述第一子浮柵層和第二子浮柵層構成浮柵。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人華虹半導體(無錫)有限公司，其通訊地址為：214028 江蘇省無錫市新吳區新洲路30號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。