英飛凌科技奧地利有限公司葉俐君獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉英飛凌科技奧地利有限公司申請的專利半導體晶體管器件以及制造半導體晶體管器件的方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN113257886B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-19發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202110158123.8，技術領域涉及：H10D62/10；該發明授權半導體晶體管器件以及制造半導體晶體管器件的方法是由葉俐君;O·布蘭克;H·霍費爾;M·胡茨勒;R·西米尼克設計研發完成，并于2021-02-05向國家知識產權局提交的專利申請。
本半導體晶體管器件以及制造半導體晶體管器件的方法在說明書摘要公布了：公開了半導體晶體管器件以及制造半導體晶體管器件的方法。本申請涉及一種半導體晶體管器件1，其具有：源極區2；本體區3，其包括在豎向方向10上延伸的溝道區3.1；漏極區4；柵極區6，被布置成在橫向方向11上在溝道區3.1旁邊；以及由導電材料9制成的本體接觸區7，其中本體接觸區7形成本體接觸區域8，本體接觸區7經由本體接觸區域8與本體區3電接觸，并且其中本體接觸區域8相對于豎向方向10和橫向方向11傾斜。
本發明授權半導體晶體管器件以及制造半導體晶體管器件的方法在權利要求書中公布了：1.一種半導體晶體管器件1，具有： 源極區2， 本體區3，包括在豎向方向10上延伸的溝道區3.1， 漏極區4， 柵極區6，被布置成在橫向方向11上在溝道區3.1旁邊，以及 由導電材料9制成的本體接觸區7， 其中，本體接觸區7形成本體接觸區域8，本體接觸區7經由本體接觸區域8與本體區3電接觸， 并且其中，本體接觸區域8相對于豎向方向10和橫向方向11傾斜， 其中，本體接觸區域8具有在豎向橫截面中看到的凹形形狀18。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人英飛凌科技奧地利有限公司，其通訊地址為：奧地利菲拉赫西門子大街2號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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1、本報告根據公開、合法渠道獲得相關數據和信息，力求客觀、公正，但并不保證數據的最終完整性和準確性。
2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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