應用材料公司考施·K·辛格獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉應用材料公司申請的專利用于含金屬材料的高壓退火處理獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN111902929B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-19發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：201980016419.7，技術領域涉及：H01L21/768；該發明授權用于含金屬材料的高壓退火處理是由考施·K·辛格;石美儀;斯里尼瓦斯·D·內曼尼;怡利·Y·葉設計研發完成，并于2019-01-28向國家知識產權局提交的專利申請。
本用于含金屬材料的高壓退火處理在說明書摘要公布了：本公開內容提供了用于在TFT顯示應用、半導體、或存儲器應用中在含金屬層上執行退火處理的方法。在一個實例中，一種在基板上形成含金屬層的方法包括以下步驟：在處理腔室中的基板上供應含氧氣體混合物，所述基板包括設置在光學透明基板上的含金屬層；將所述處理腔室中的所述含氧氣體混合物維持在約2巴和約50巴之間的處理壓力下；和在所述含氧氣體混合物存在的情況下熱退火所述含金屬層。
本發明授權用于含金屬材料的高壓退火處理在權利要求書中公布了：1.一種在基板上形成含金屬層的方法，所述方法包括以下步驟： 在處理腔室中的基板上供應含氧氣體混合物，所述基板包括設置在光學透明基板上的含金屬層； 將所述處理腔室中的所述含氧氣體混合物維持在2巴和50巴之間的處理壓力下；和 在所述含氧氣體混合物存在的情況下熱退火所述含金屬層，其中： 所述含金屬層是選自由GaN、InGaN、AlGaN和InGaAlN組成的組，或者所述含金屬層是金屬氧化物層，所述金屬氧化物層選自由以下各者構成的組：a-IGZO非晶銦鎵鋅氧化物、摻雜的IGZO、InGaZnON、ZnO、ZnON、ZnSnO、CdSnO、GaSnO、TiSnO、CuBO2、CuAlO2、CuGaO2、SrCuO和LaCuOS， 所述含金屬層是TFT裝置結構的電極， 所述方法進一步包括在供應所述含氧氣體混合物之前將摻雜物注入到所述含金屬層中，以及 注入到所述含金屬層中的所述摻雜物包括銦或鉬，并且增加了所述含金屬層的結晶度。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人應用材料公司，其通訊地址為：美國加利福尼亞州；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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1、本報告根據公開、合法渠道獲得相關數據和信息，力求客觀、公正，但并不保證數據的最終完整性和準確性。
2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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