長江存儲科技有限責任公司陳陽獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉長江存儲科技有限責任公司申請的專利半導體結構及其制備方法、三維存儲器及存儲系統獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN114023756B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-19發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202111264319.1，技術領域涉及：H10B41/50；該發明授權半導體結構及其制備方法、三維存儲器及存儲系統是由陳陽;王迪;張中;周文犀;夏志良設計研發完成，并于2021-10-28向國家知識產權局提交的專利申請。
本半導體結構及其制備方法、三維存儲器及存儲系統在說明書摘要公布了：本公開涉及半導體芯片技術領域，尤其涉及一種半導體結構及其制備方法、三維存儲器及存儲系統。可以減少后續填充材料填充不良所帶來的器件結構性能惡化，甚至失效等問題。一種半導體結構，包括：疊層結構和絕緣部，疊層結構包括沿第一方向交替疊置的多個絕緣層和多個柵導電層；疊層結構具有第一核心區和臺階區；在臺階區，疊層結構劃分成沿第三方向依次排列的墻體和臺階結構，墻體的上表面上設置有沿第三方向貫穿墻體的凹槽，臺階結構包括沿第二方向排列的第一臺階集群和第二臺階集群，第二臺階集群相比于第一臺階集群遠離所述第一核心區，第一臺階集群和第二臺階集群均與墻體的側壁接觸，且第二臺階集群位于凹槽的下方，絕緣部嵌入凹槽內。
本發明授權半導體結構及其制備方法、三維存儲器及存儲系統在權利要求書中公布了：1.一種半導體結構，其特征在于，包括： 疊層結構，所述疊層結構包括沿第一方向交替疊置的多個絕緣層和多個柵導電層； 所述疊層結構具有沿第二方向排列的第一核心區和臺階區；在所述臺階區，所述疊層結構劃分成沿第三方向排列的墻體和臺階結構；所述墻體的上表面上設置有沿所述第三方向至少貫穿相鄰的兩個墻體的凹槽；所述臺階結構包括沿所述第二方向排列的第一臺階集群和第二臺階集群，第二臺階集群相比于所述第一臺階集群遠離所述第一核心區，所述第一臺階集群和所述第二臺階集群均與所述墻體的側壁接觸，且所述第二臺階集群位于所述凹槽的下方； 絕緣部，所述絕緣部嵌入所述凹槽內，并與所述凹槽的側壁接觸； 其中，第一臺階集群和第二臺階集群分別包括多個臺階組，每個臺階組包括階梯排列的多個柵導電圖案，每個柵導電圖案位于所述多個柵導電層中的一個柵導電層；所述第一方向、所述第二方向和所述第三方向兩兩之間相互垂直。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人長江存儲科技有限責任公司，其通訊地址為：430000 湖北省武漢市東湖新技術開發區未來三路88號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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