長江存儲科技有限責任公司顧妍獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉長江存儲科技有限責任公司申請的專利半導體結構及三維存儲器的制備方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN114171524B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-19發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202111443014.7，技術領域涉及：H10B43/27；該發明授權半導體結構及三維存儲器的制備方法是由顧妍;王迪;周文犀設計研發完成，并于2021-11-30向國家知識產權局提交的專利申請。
本半導體結構及三維存儲器的制備方法在說明書摘要公布了：本申請提供了一種半導體結構及三維存儲器的制備方法，該方法包括：在襯底上交替堆疊犧牲層和電介質層以形成堆疊結構，其中，堆疊結構包括切割區；形成貫穿所述堆疊結構位于切割區的部分并延伸至所述襯底中的多個第一虛設溝道開口；在所述第一虛設溝道開口內填充溝道填充材料以形成第一虛設溝道結構；形成貫穿所述第一虛設溝道結構的切割槽；以及在所述切割槽內填充導電材料以形成切割道。
本發明授權半導體結構及三維存儲器的制備方法在權利要求書中公布了：1.一種三維存儲器的制備方法，其特征在于，所述方法包括： 在襯底上交替堆疊犧牲層和電介質層以形成堆疊結構，其中，所述堆疊結構包括臺階區和切割區，所述堆疊結構位于所述臺階區的部分具有臺階結構； 形成覆蓋所述臺階結構的絕緣層； 形成貫穿所述堆疊結構位于所述切割區的部分并延伸至所述襯底中的多個第一虛設溝道開口； 在所述第一虛設溝道開口內填充溝道填充材料以形成第一虛設溝道結構，所述溝道填充材料與所述絕緣層的材料相同或具有相同的刻蝕選擇比； 形成貫穿所述第一虛設溝道結構的切割槽；以及 在所述切割槽內填充導電材料以形成切割道。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人長江存儲科技有限責任公司，其通訊地址為：430000 湖北省武漢市東湖新技術開發區未來三路88號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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1、本報告根據公開、合法渠道獲得相關數據和信息，力求客觀、公正，但并不保證數據的最終完整性和準確性。
2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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