中微半導體設備(上海)股份有限公司吳昊獲國家專利權
買專利賣專利找龍圖騰,真高效! 查專利查商標用IPTOP,全免費!專利年費監控用IP管家,真方便!
龍圖騰網獲悉中微半導體設備(上海)股份有限公司申請的專利限制環以及等離子體處理裝置獲國家發明授權專利權,本發明授權專利權由國家知識產權局授予,授權公告號為:CN115966451B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-09發布的發明授權授權公告中獲悉:該發明授權的專利申請號/專利號為:202111181000.2,技術領域涉及:H01J37/32;該發明授權限制環以及等離子體處理裝置是由吳昊;王喬慈設計研發完成,并于2021-10-11向國家知識產權局提交的專利申請。
本限制環以及等離子體處理裝置在說明書摘要公布了:本發明提供一種限制環,用于等離子體處理裝置,所述等離子體處理裝置包括基座,所述限制環圍繞所述基座設置于所述等離子體處理裝置的等離子體反應區域和排氣區域之間,所述限制環包括同心設置的多個環板,多個所述環板沿所述基座的徑向排列,相鄰兩個環板之間的縫隙形成氣體通道;至少兩個環板具有磁性,相鄰兩個具有磁性的環板之間形成磁場,所述磁場限制從所述等離子體反應區域排出的帶電粒子由所述氣體通道流入所述排氣區域。相應的,還提供一種包含上述限制環的等離子體處理裝置。本發明既能夠提升抽氣效率,又能保證足夠的電子、離子碰壁率,降低等離子體泄露的風險。
本發明授權限制環以及等離子體處理裝置在權利要求書中公布了:1.一種限制環,用于等離子體處理裝置,所述等離子體處理裝置包括基座,所述限制環圍繞所述基座設置于所述等離子體處理裝置的等離子體反應區域和排氣區域之間,其特征在于,包括同心設置的多個環板,多個所述環板沿所述基座的徑向排列,相鄰兩個環板之間的縫隙形成氣體通道; 至少兩個環板具有磁性,相鄰兩個具有磁性的環板之間形成磁場,所述磁場限制從所述等離子體反應區域排出的帶電粒子由所述氣體通道流入所述排氣區域; 所述等離子體處理裝置的反應腔內具有射頻屏蔽區,所述限制環設置于所述射頻屏蔽區內以避免反應腔內的射頻電磁場使所述環板退磁; 所述基座外圍設有沿所述基座的軸向延伸的第一接地環和沿所述基座的徑向延伸的第二接地環,所述第一接地環連接所述第二接地環,所述第一接地環的底部連接所述反應腔的底壁,所述第二接地環連接所述反應腔的側壁,所述射頻屏蔽區是位于所述第二接地環下方的區域。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術,可聯系本專利的申請人或專利權人中微半導體設備(上海)股份有限公司,其通訊地址為:201201 上海市浦東新區金橋出口加工區(南區)泰華路188號;或者聯系龍圖騰網官方客服,聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
1、本報告根據公開、合法渠道獲得相關數據和信息,力求客觀、公正,但并不保證數據的最終完整性和準確性。
2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解,僅供參考使用,不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。