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龍圖騰網獲悉溫州核芯智存科技有限公司申請的專利一種鐵電存儲器電路及靈活控制鐵電電容兩端電壓的方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN120412679B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-09發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202510909245.4，技術領域涉及：G11C11/22；該發明授權一種鐵電存儲器電路及靈活控制鐵電電容兩端電壓的方法是由王園春;方原;呂震宇設計研發完成，并于2025-07-02向國家知識產權局提交的專利申請。

本一種鐵電存儲器電路及靈活控制鐵電電容兩端電壓的方法在說明書摘要公布了：本發明公開了一種鐵電存儲器電路及靈活控制鐵電電容兩端電壓的方法，包括若干板線、字線和位線，連接于板線的自升壓控制電路，自升壓控制電路用于在寫“1”操作時，通過使至少一個未被選中的板線充電至高電平，以利用至少一個被選中字線打開導電溝道但相應板線未被選中的NMOS管的寄生電容將選中字線的電壓抬升至大于或等于VwL+Vt，使位線電壓VBL被完整傳輸至相應存儲單元的電容極板。本方案通過使未被選中的板線充電至高電平利用電容的電壓耦合作用將選中字線的電壓抬升，使位線電壓VBL被完整傳輸至相應存儲單元的電容極板從而解決可能出現的寫“1”電壓不夠的問題。

本發明授權一種鐵電存儲器電路及靈活控制鐵電電容兩端電壓的方法在權利要求書中公布了：1.一種鐵電存儲器電路，包括若干板線、字線和位線，其特征在于，還包括連接于所述板線的自升壓控制電路，所述的自升壓控制電路用于在進行寫“1”操作時，通過使至少一個未被選中的板線充電至高電平，以基于電壓耦合作用利用至少一個被選中字線打開導電溝道但相應板線未被選中的NMOS管的寄生電容將選中字線的電壓抬升至大于或等于VwL+Vt，使用于寫“1”操作的位線電壓VBL被完整傳輸至相應存儲單元的電容極板； VwL表示高電平電源提供于字線的高電平電壓；Vt表示存儲單元的NMOS管閾值電壓； 所述的自升壓控制電路包括若干分別且一一連接于相應板線的升壓控制子電路； 進行寫“1”操作時， 被選中板線的升壓控制子電路基于板線選中信號、寫控制信號和字線升壓信號向相應的板線輸出寫驅動信號； 未被選中板線的升壓控制子電路基于板線未選中信號、寫控制信號和字線升壓信號向相應的板線輸出板線高電平信號，以利用所述被選中字線打開導電溝道但相應板線未被選中的NMOS管的寄生電容抬升所述選中字線的電壓； 所述的升壓控制子電路包括一輸入有寫控制信號、板線選擇信號和字線升壓信號的邏輯門電路，所述邏輯門電路的輸出連接至所述的板線； 所述的寫控制信號包括寫1控制信號和寫0控制信號； 所述的板線選擇信號包括所述板線選中信號、板線未選中信號； 所述的邏輯門電路包括第一非門、第二非門、第三非門、第一或門、第二或門、第一與非門和第二與非門； 寫1控制信號、寫0控制信號、板線選擇信號分別連接于第一非門、第二非門、第三非門； 字線升壓信號與第三非門輸出連接至第一與非門輸入； 第一與非門輸出與第一非門第二非門輸出連接至第一或門輸入； 第三非門輸出與第二非門第一非門輸出連接至第二或門輸入； 第二或門輸出與第一或門輸出連接至第二與非門輸入； 第二與非門輸出連接至所述的板線。

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