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龍圖騰網獲悉深圳天狼芯半導體有限公司申請的專利一種鰭狀結型場效應晶體管及其制備方法、芯片獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN116247103B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-05發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202211640507.4，技術領域涉及：H10D30/83；該發明授權一種鰭狀結型場效應晶體管及其制備方法、芯片是由吳龍江設計研發完成，并于2022-12-20向國家知識產權局提交的專利申請。

本一種鰭狀結型場效應晶體管及其制備方法、芯片在說明書摘要公布了：本申請屬于半導體技術領域，提供了鰭狀結型場效應晶體管及其制備方法、芯片，通過在半導體襯底形成N型漂移層，在N型漂移層上形成連接區，在連接區兩側形成鰭狀結構的P型摻雜層，并在P型摻雜層表面依次形成介電層、功函數金屬層以及柵極金屬層，在兩側的P型摻雜層的外側形成第一源極摻雜層和第二源極摻雜層，從而使得由半導體襯底背面的漏極流出的電流經由N型漂移層以及鰭狀區域的連接區，通過鰭狀結構的第一P型摻雜層和第二P型摻雜層結構感應出的電流通道達到源極，由鰭狀結構上的柵極金屬層感應出電流通道即可開啟器件，實現兼顧高擊穿電壓、高電流密度以及較小的器件面積的目的。

本發明授權一種鰭狀結型場效應晶體管及其制備方法、芯片在權利要求書中公布了：1.一種鰭狀結型場效應晶體管，其特征在于，所述鰭狀結型場效應晶體管包括： 半導體襯底； N型漂移層，設于所述半導體襯底的正面； 第一P型摻雜層和第二P型摻雜層，設于所述N型漂移層上，且所述第一P型摻雜層與所述第二P型摻雜層呈鰭狀結構； 第一介電層和第二介電層，分別設于所述第一P型摻雜層與所述第二P型摻雜層的表面； 第一功函數金屬層和第二功函數金屬層，分別設于所述第一介電層與所述第二介電層表面； 第一柵極金屬層和第二柵極金屬層，分別與所述第一功函數金屬層和第二功函數金屬層連接； 連接區，設于所述第一P型摻雜層與所述第二P型摻雜層之間； 第一源極摻雜層和第二源極摻雜層，分別設于所述第一P型摻雜層的外側和所述第二P型摻雜層的外側； 漏極金屬層，設于所述半導體襯底的背面。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人深圳天狼芯半導體有限公司，其通訊地址為：518000 廣東省深圳市南山區粵海街道高新區社區科技南路18號深圳灣科技生態園12棟裙樓904-905；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。