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龍圖騰網(wǎng)獲悉中國科學(xué)院重慶綠色智能技術(shù)研究院申請的專利一種石墨烯/硫化鉛紅外探測器及其制備方法獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號為：CN111129198B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-09-12發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請?zhí)?專利號為：202010026016.5，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H10F30/10；該發(fā)明授權(quán)一種石墨烯/硫化鉛紅外探測器及其制備方法是由冷重錢;申鈞;聶長斌;張之勝;楊俊;湯林龍;馮雙龍;魏興戰(zhàn);史浩飛設(shè)計研發(fā)完成，并于2020-01-10向國家知識產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請。

本一種石墨烯/硫化鉛紅外探測器及其制備方法在說明書摘要公布了：本發(fā)明公開一種石墨烯硫化鉛紅外探測器及其制備方法，其中，一種石墨烯硫化鉛紅外探測器，包括襯底，所述襯底向上依次覆蓋有石墨烯薄膜、金屬電極、硫化鉛種子層、硫化鉛納米晶薄膜層；其中，所述石墨烯薄膜上兩端各鋪設(shè)有一個所述金屬電極。本發(fā)明通過在石墨烯和金屬電極表面引入硫化鉛種子層，基于種子層輔助生長硫化鉛納米晶，得到致密、平整、均勻的高質(zhì)量硫化鉛納米晶薄膜層，最終實現(xiàn)高響應(yīng)度的紅外探測器。

本發(fā)明授權(quán)一種石墨烯/硫化鉛紅外探測器及其制備方法在權(quán)利要求書中公布了：1.一種石墨烯硫化鉛紅外探測器的制備方法，其特征在于，所述石墨烯硫化鉛紅外探測器包括襯底，所述襯底向上依次覆蓋有石墨烯薄膜、金屬電極、硫化鉛種子層、硫化鉛納米晶薄膜層；其中，所述石墨烯薄膜上兩端各鋪設(shè)有一個所述金屬電極； 所述硫化鉛種子層是由大小為1-10nm量子點構(gòu)成的薄膜，所述硫化鉛種子層的厚度為8-16nm； 所述硫化鉛納米晶薄膜層是由粒徑為50-500nm的納米晶體構(gòu)成的薄膜，所述硫化鉛納米晶薄膜的厚度為70-150nm； 包括以下步驟： （1）制備石墨烯薄膜并將其轉(zhuǎn)移至潔凈的襯底上； （2）在石墨烯薄膜表面沉積金屬并圖形化，形成金屬電極； （3）石墨烯薄膜的圖案化； （4）在所述石墨烯薄膜表面和所述金屬電極表面制備硫化鉛種子層； （5）基于所述硫化鉛種子層的輔助，制備硫化鉛納米晶薄膜層； 所述步驟（5）中制備硫化鉛納米晶薄膜層的具體方法如下： 將乙酸鉛、硫脲、檸檬酸鈉和氫氧化鈉溶于水中，配置成前驅(qū)體溶液，然后將所述前驅(qū)體溶液轉(zhuǎn)移至水浴鍋內(nèi)，通過化學(xué)水浴法制備得到硫化鉛納米晶薄膜。

如需購買、轉(zhuǎn)讓、實施、許可或投資類似專利技術(shù)，可聯(lián)系本專利的申請人或?qū)＠麢?quán)人中國科學(xué)院重慶綠色智能技術(shù)研究院，其通訊地址為：400714 重慶市北碚區(qū)方正大道266號；或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服，聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。