中國科學院半導體研究所鄭婉華獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉中國科學院半導體研究所申請的專利光子晶體激光器獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN116247512B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-29發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202310337435.4，技術領域涉及：H01S5/10；該發明授權光子晶體激光器是由鄭婉華;徐傳旺;齊愛誼;渠紅偉;周旭彥;王亮;王天財設計研發完成，并于2023-03-31向國家知識產權局提交的專利申請。
本光子晶體激光器在說明書摘要公布了：本公開提供一種光子晶體激光器，涉及半導體激光器領域，其包括襯底，依次疊設于襯底上的N型限制層、N型波導層、有源層、P型波導層、P型限制層、絕緣層、歐姆接觸層以及P面電極層；其中，在沿腔長方向的兩面分別設置反射率均為0％的第一膜層和第二膜層，用于抑制光波模式在腔長方向形成振蕩；在沿腔長方向的兩面相鄰的兩側面，一個側面設置反射率為0％?10％的第三膜層，另一個側面設置反射率為90％?100％的第四膜層，用于光波模式在側面方向形成振蕩。本公開保證輸出光信號高功率的情況下，可以避免產生縱向燒孔效應。
本發明授權光子晶體激光器在權利要求書中公布了：1.一種光子晶體激光器，其特征在于，包括： 襯底2，依次疊設于所述襯底2上的N型限制層3、N型波導層4、有源層5、P型波導層6、P型限制層7、絕緣層8、歐姆接觸層9以及P面電極層10； 其中，在沿腔長方向的兩面分別設置反射率均為0％的第一膜層和第二膜層，用于抑制光波模式在腔長方向形成振蕩；在所述沿腔長方向的兩面相鄰的兩側面，一個側面設置反射率為0％-10％的第三膜層，另一個側面設置反射率為90％-100％的第四膜層，用于光波模式在側面方向形成振蕩。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人中國科學院半導體研究所，其通訊地址為：100083 北京市海淀區清華東路甲35號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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1、本報告根據公開、合法渠道獲得相關數據和信息，力求客觀、公正，但并不保證數據的最終完整性和準確性。
2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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