買專利賣專利找龍圖騰，真高效！ 查專利查商標用IPTOP,全免費！專利年費監(jiān)控用IP管家,真方便！

龍圖騰網(wǎng)獲悉長鑫新橋存儲技術有限公司申請的專利半導體結構及其形成方法獲國家發(fā)明授權專利權，本發(fā)明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN120224764B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產權局官網(wǎng)在2025-08-29發(fā)布的發(fā)明授權授權公告中獲悉：該發(fā)明授權的專利申請?zhí)?專利號為：202510600806.2，技術領域涉及：H10D64/27；該發(fā)明授權半導體結構及其形成方法是由宣鋒;金星;陳洋;李昇設計研發(fā)完成，并于2025-05-12向國家知識產權局提交的專利申請。

本半導體結構及其形成方法在說明書摘要公布了：本公開實施例提供一種半導體結構及其形成方法，至少有利于提高對頂柵結構的隔離性能。半導體結構包括：半導體基底，以及位于半導體基底上的頂柵結構；隔離結構，環(huán)繞設置于頂柵結構的側壁；隔離結構包括：第一保護層、第一隔離層、第二保護層和第二隔離層，其中，第一保護層環(huán)繞設置于頂柵結構的側壁；第一隔離層環(huán)繞設置于第一保護層遠離頂柵結構的一側側壁；第二保護層環(huán)繞設置于第一隔離層遠離第一保護層的一側側壁，并覆蓋頂柵結構的頂部；第二隔離層環(huán)繞設置于第二保護層遠離第一隔離層的一側側壁，在垂直于半導體基底頂部表面的方向上，第二隔離層的高度低于頂柵結構的高度；第三保護層，覆蓋第二保護層的頂部和第二隔離層的頂部。

本發(fā)明授權半導體結構及其形成方法在權利要求書中公布了：1.一種半導體結構，其特征在于，包括： 半導體基底，以及位于所述半導體基底上的頂柵結構； 隔離結構，環(huán)繞設置于所述頂柵結構的側壁； 所述隔離結構包括：第一保護層、第一隔離層、第二保護層和第二隔離層，其中，所述第一保護層環(huán)繞設置于所述頂柵結構的側壁；所述第一隔離層環(huán)繞設置于所述第一保護層遠離所述頂柵結構的一側側壁；所述第二保護層環(huán)繞設置于所述第一隔離層遠離所述第一保護層的一側側壁，并覆蓋所述頂柵結構的頂部；所述第二隔離層環(huán)繞設置于所述第二保護層遠離所述第一隔離層的一側側壁，在垂直于所述半導體基底頂部表面的方向上，所述第二隔離層的高度低于所述頂柵結構的高度； 第三保護層，僅覆蓋所述第二保護層的頂部和所述第二隔離層的頂部，且填充所述第二隔離層與所述頂柵結構之間的高度差，并暴露出所述第二隔離層遠離所述第二保護層一側的側壁。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯(lián)系本專利的申請人或專利權人長鑫新橋存儲技術有限公司，其通訊地址為：230601 安徽省合肥市經(jīng)濟技術開發(fā)區(qū)新淮大道2788號；或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服，聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。