買專利賣專利找龍圖騰，真高效！ 查專利查商標用IPTOP,全免費！專利年費監(jiān)控用IP管家,真方便！

龍圖騰網(wǎng)獲悉湖南靜芯微電子技術(shù)有限公司申請的專利一種強魯棒性非對稱雙向可控硅靜電防護器件及制作方法獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號為：CN115831960B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-08-26發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請?zhí)?專利號為：202211588593.9，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H10D89/60；該發(fā)明授權(quán)一種強魯棒性非對稱雙向可控硅靜電防護器件及制作方法是由董鵬;劉威;駱生輝;李幸;黃昭;李忠設(shè)計研發(fā)完成，并于2022-12-09向國家知識產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請。

本一種強魯棒性非對稱雙向可控硅靜電防護器件及制作方法在說明書摘要公布了：本發(fā)明提供一種強魯棒性非對稱雙向可控硅靜電防護器件及制作方法，包括P型襯底、N型深阱、N型阱、P型阱等；第一N阱與第二P+注入?yún)^(qū)，第二N阱與第五P+注入?yún)^(qū)，通過高摻雜P+注入與N阱雪崩擊穿來降低器件觸發(fā)電壓；第一P+注入?yún)^(qū)、第三N+注入?yún)^(qū)二個電極連接在一起作為器件的陰極；第一N+注入?yún)^(qū)、第三P+注入?yún)^(qū)、第二N+注入?yún)^(qū)、第四P+注入?yún)^(qū)四個電極連接在一起作為器件的陽極；該器件在降低器件觸發(fā)電壓的情況下，利用不同的靜電放電ElectrostaticDischarge，ESD泄放路徑實現(xiàn)IO端口雙向防護，從而有效地保護傳輸正負電平的芯片IO信號端口；該器件具有低觸發(fā)電壓，高失效電流的特點，能夠應(yīng)用于IO端口的雙向ESD防護。

本發(fā)明授權(quán)一種強魯棒性非對稱雙向可控硅靜電防護器件及制作方法在權(quán)利要求書中公布了：1.一種強魯棒性非對稱雙向可控硅靜電防護器件，其特征在于，包括P型襯底；所述P型襯底中設(shè)有N型深阱；所述N型深阱上方從左至右設(shè)有第一N阱、第一P阱、第二N阱、第二P阱；所述第一N阱內(nèi)設(shè)有第一P+注入?yún)^(qū)；所述第一P阱內(nèi)設(shè)有第一N+注入?yún)^(qū)、第三P+注入?yún)^(qū)；所述第二N阱內(nèi)設(shè)有第二N+注入?yún)^(qū)、第四P+注入?yún)^(qū)；所述第二P阱內(nèi)設(shè)有第三N+注入?yún)^(qū)；所述第一N阱和所述第一P阱之間設(shè)有第二P+注入?yún)^(qū)；所述第二N阱和所述第二P阱之間設(shè)有第五P+注入?yún)^(qū)；所述第一P+注入?yún)^(qū)、所述第三N+注入?yún)^(qū)二個電極連接在一起作為器件的陰極，所述第一N+注入?yún)^(qū)、所述第三P+注入?yún)^(qū)、所述第二N+注入?yún)^(qū)、所述第四P+注入?yún)^(qū)四個電極連接在一起作為器件的陽極。

如需購買、轉(zhuǎn)讓、實施、許可或投資類似專利技術(shù)，可聯(lián)系本專利的申請人或?qū)＠麢?quán)人湖南靜芯微電子技術(shù)有限公司，其通訊地址為：410000 湖南省長沙市長沙經(jīng)濟技術(shù)開發(fā)區(qū)螺絲塘路德普企業(yè)公元6棟C座303；或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服，聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。