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龍圖騰網獲悉聯和存儲科技(江蘇)有限公司申請的專利非易失性存儲器件及其制備方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN116916657B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-22發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202311113059.7，技術領域涉及：H10B41/35；該發明授權非易失性存儲器件及其制備方法是由文才煥;樸鍾旻;金漢洙;高偉;申女設計研發完成，并于2023-08-31向國家知識產權局提交的專利申請。

本非易失性存儲器件及其制備方法在說明書摘要公布了：本申請提供一種非易失性存儲器件及其制備方法，其中制備方法包括：在部分襯底上形成第一柵氧化層；在其余襯底上形成第二柵氧化層；形成浮柵多晶硅層；形成介質層；形成控制柵多晶硅層；在襯底中形成重摻雜區；在部分浮柵多晶硅層上表面形成臺階；形成層間絕緣層；形成第一導電插塞、第二導電插塞和第三導電插塞。本申請通過在浮柵多晶硅層底部形成由第一柵氧化層和第二柵氧化層構成的組合氧化層結構，可以在形成接觸孔時有效緩解刻蝕對浮柵多晶硅層底部的組合氧化層的損傷，改善了器件的電性能；此外，本申請形成并聯的第一電容器、第二電容器和第三電容器，并且將第三電容器中的第二柵氧化層的厚度減薄，最大限度地增加了器件電容器的靜電容量。

本發明授權非易失性存儲器件及其制備方法在權利要求書中公布了：1.一種非易失性存儲器件的制備方法，其特征在于，包括： 提供一襯底； 形成第一柵氧化層，所述第一柵氧化層覆蓋所述襯底； 在所述襯底上定義高壓區和低壓區，去除所述低壓區的所述第一柵氧化層； 形成第二柵氧化層，所述第二柵氧化層覆蓋所述低壓區的襯底，其中，所述第一柵氧化層的厚度大于所述第二柵氧化層的厚度，并且所述第二柵氧化層的面積大于所述第一柵氧化層的面積； 形成浮柵多晶硅層，所述浮柵多晶硅層覆蓋所述第一柵氧化層和所述第二柵氧化層； 形成介質層，所述介質層覆蓋所述浮柵多晶硅層； 形成控制柵多晶硅層，所述控制柵多晶硅層覆蓋所述介質層； 刻蝕所述高壓區第一部分區域的所述控制柵多晶硅層、所述介質層、所述浮柵多晶硅層和所述第一柵氧化層以露出第一部分襯底，以及，刻蝕所述低壓區部分區域的所述控制柵多晶硅層、所述介質層、所述浮柵多晶硅層和所述第二柵氧化層以露出第二部分襯底； 對所述第一部分襯底、所述第二部分襯底進行離子注入工藝，以對應形成多個重摻雜區； 刻蝕所述高壓區第二部分區域的所述控制柵多晶硅層和所述介質層至所述浮柵多晶硅層上表面，以形成臺階； 形成層間絕緣層，所述層間絕緣層覆蓋所述臺階、所述控制柵多晶硅層和所述重摻雜區；以及 形成第一導電插塞、第二導電插塞和多個第三導電插塞，所述第一導電插塞貫穿所述層間絕緣層并與所述臺階表面的所述浮柵多晶硅層連接，所述第二導電插塞貫穿所述層間絕緣層并與所述控制柵多晶硅層連接，至少一個所述第三導電插塞貫穿所述高壓區的所述層間絕緣層并與所述重摻雜區連接；至少一個所述第三導電插塞貫穿所述低壓區的所述層間絕緣層并與所述重摻雜區連接； 其中，所述重摻雜區、所述第一柵氧化層和所述浮柵多晶硅層構成第一電容器；所述浮柵多晶硅層、所述介質層和所述控制柵多晶硅層構成第二電容器；所述重摻雜區、所述第二柵氧化層和所述浮柵多晶硅層構成第三電容器。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人聯和存儲科技(江蘇)有限公司，其通訊地址為：214125 江蘇省無錫市經濟開發區新園路富力中心C5-401-03；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。