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龍圖騰網獲悉株式會社迪思科申請的專利晶片的加工方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN111668147B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-26發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202010138158.0，技術領域涉及：H01L21/683；該發明授權晶片的加工方法是由原田成規;松澤稔;木內逸人;淀良彰;荒川太朗;上里昌充;河村慧美子;藤井祐介;宮井俊輝;大前卷子設計研發完成，并于2020-03-03向國家知識產權局提交的專利申請。

本晶片的加工方法在說明書摘要公布了：提供晶片的加工方法，不降低品質而形成器件芯片。該晶片的加工方法將在由分割預定線劃分的正面的各區域內形成有多個器件的晶片分割成各個器件芯片，其中，該晶片的加工方法具有如下的工序：聚烯烴系片配設工序，將晶片定位于具有對晶片進行收納的開口的框架的該開口內，將聚烯烴系片配設在晶片的背面或正面上以及框架的外周上；一體化工序，對該聚烯烴系片進行加熱，通過熱壓接使晶片與該框架借助該聚烯烴系片而一體化；分割工序，沿著該分割預定線對該晶片照射對于該晶片具有透過性的波長的激光束，在該晶片中形成改質層，將該晶片分割成各個器件芯片；以及拾取工序，從該聚烯烴系片拾取各個該器件芯片。

本發明授權晶片的加工方法在權利要求書中公布了：1.一種晶片的加工方法，將在由分割預定線劃分的正面的各區域內形成有多個器件的晶片分割成各個器件芯片，其特征在于， 該晶片的加工方法具有如下的工序： 聚烯烴系片配設工序，將晶片定位于具有對晶片進行收納的開口的框架的該開口內，將不具有糊料層的聚烯烴系片配設在該晶片的背面或該正面上以及該框架的外周上，使所述聚烯烴系片與所述晶片和所述框架的背面側直接接觸； 一體化工序，在該聚烯烴系片配設工序之后，對不具有糊料層的該聚烯烴系片進行加熱并且施加壓力，通過熱壓接使該晶片與該框架借助該聚烯烴系片而一體化，從而形成框架單元； 分割工序，將對于該晶片具有透過性的波長的激光束的聚光點定位于該晶片的內部，沿著該分割預定線對該晶片照射該激光束，在該晶片中形成改質層，將該晶片分割成各個器件芯片；以及 拾取工序，從該聚烯烴系片拾取各個該器件芯片。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人株式會社迪思科，其通訊地址為：日本東京都；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。