北方集成電路技術創新中心(北京)有限公司顏銘銘獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉北方集成電路技術創新中心(北京)有限公司申請的專利一種原子層沉積設備獲國家實用新型專利權，本實用新型專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN223386226U 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-26發布的實用新型授權公告中獲悉：該實用新型的專利申請號/專利號為：202422796920.0，技術領域涉及：C23C16/455；該實用新型一種原子層沉積設備是由顏銘銘;翟冬梅;邢長昕;李亞偉;賈永鑫設計研發完成，并于2024-11-15向國家知識產權局提交的專利申請。
本一種原子層沉積設備在說明書摘要公布了：本申請提供一種原子層沉積設備，包括：反應腔室；所述基座，所述基座設置在所述反應腔室底部；上電極，所述上電極設置在所述反應腔室的頂部；電壓源，所述電壓源的正極與所述上電極電連接，所述電壓源的負極與基座電連接，所述基座為下電極，在所述電壓源施加電壓時，所述上電極和所述基座之間產生電場。采用本申請提供的原子層沉積設備實施ALD或者PEALD進行薄膜沉積，能夠提高薄膜生長速率，并能夠控制生長超薄原子量級的薄膜厚度的連續薄膜；能夠提高縱橫比模式的臺階覆蓋范圍；能夠降低薄膜生長溫度，降低薄膜的雜質含量，提高薄膜的致密性和電化學性能。
本實用新型一種原子層沉積設備在權利要求書中公布了：1.一種原子層沉積設備，其特征在于，包括： 反應腔室； 基座，所述基座設置在所述反應腔室底部； 上電極，所述上電極設置在所述反應腔室的頂部； 電壓源，所述電壓源的正極與所述上電極電連接，所述電壓源的負極與基座電連接，所述基座為下電極，在所述電壓源施加電壓時，所述上電極和所述基座之間產生電場。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人北方集成電路技術創新中心(北京)有限公司，其通訊地址為：100176 北京市大興區經濟技術開發區文昌大道18號9幢一層；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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1、本報告根據公開、合法渠道獲得相關數據和信息，力求客觀、公正，但并不保證數據的最終完整性和準確性。
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