株式會社迪思科飯田英一獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉株式會社迪思科申請的專利晶片的加工方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN111584352B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-26發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202010088142.3，技術領域涉及：H01L21/304；該發明授權晶片的加工方法是由飯田英一;西田吉輝;千東謙太設計研發完成，并于2020-02-12向國家知識產權局提交的專利申請。
本晶片的加工方法在說明書摘要公布了：提供晶片的加工方法，能夠提高器件芯片的抗彎強度。晶片的加工方法具有如下的步驟：保護部件粘貼步驟，在晶片的正面側粘貼保護帶；磨削步驟，隔著保護帶將晶片保持在卡盤工作臺上，對晶片的背面側進行磨削而薄化至規定的厚度；研磨步驟，利用研磨墊對通過磨削步驟進行了磨削的晶片的背面側進行研磨，將通過磨削步驟而形成的破碎層去除；以及等離子體加工步驟，向通過研磨步驟進行了研磨的晶片的背面側提供處于等離子體狀態的惰性氣體，將晶片的背面側的加工應變的表層去除。
本發明授權晶片的加工方法在權利要求書中公布了：1.一種晶片的加工方法，該晶片在半導體基板的正面上形成有格子狀的多條分割預定線，在由該分割預定線劃分的各區域中形成有器件，其中， 該晶片的加工方法具有如下的步驟： 保護部件粘貼步驟，在晶片的正面側粘貼保護部件； 磨削步驟，隔著該保護部件將晶片保持在卡盤工作臺上，對晶片的背面側進行磨削而薄化至規定的厚度； 研磨步驟，利用包含磨粒的研磨墊對通過該磨削步驟進行了磨削的晶片的背面側進行研磨，將通過該磨削步驟而形成的破碎層去除并且利用磨粒形成晶體缺陷和應變比該破碎層的晶體缺陷和應變小的作為去疵層的加工應變；以及 等離子體加工步驟，向通過該研磨步驟進行了研磨的晶片的背面側提供處于等離子體狀態的惰性氣體，將晶片的背面側的該加工應變的表層去除，并且使該加工應變的表層變質成作為晶體應變層且被賦予比該加工應變小的晶體缺陷和應變的無定形狀的無定形層，在背面側的該加工應變的表層形成由該無定形層構成的預備去疵層。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人株式會社迪思科，其通訊地址為：日本東京都；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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1、本報告根據公開、合法渠道獲得相關數據和信息，力求客觀、公正，但并不保證數據的最終完整性和準確性。
2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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