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龍圖騰網獲悉復旦大學申請的專利基于三圈耦合電感與多磁耦合反饋回路的超寬帶低噪聲分布式放大器獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN119766158B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-26發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202411650328.8，技術領域涉及：H03F1/26；該發明授權基于三圈耦合電感與多磁耦合反饋回路的超寬帶低噪聲分布式放大器是由任俊彥;馬順利;王羽佳設計研發完成，并于2024-11-19向國家知識產權局提交的專利申請。

本基于三圈耦合電感與多磁耦合反饋回路的超寬帶低噪聲分布式放大器在說明書摘要公布了：本發明屬于集成電路技術領域，具體為基于三圈耦合電感與多磁耦合反饋回路的超寬帶低噪聲分布式放大器。本發明電路結構包含三級分布式放大器；第一級和第三級分布式放大器由4級增益單元、三圈耦合電感和二圈耦合電感構成；增益單元為共源共柵結構，共柵級晶體管柵極、源極和漏極串聯電感構成多重磁耦合反饋回路；該結構使得共柵級晶體管的等效跨導增大，有效地降低該晶體管的噪聲貢獻；三圈耦合電感作為柵極傳輸線的單元電路，包含柵極傳輸線單元電感以及共源級晶體管源極串聯電感；二圈耦合電感作為漏極傳輸線的單元電路；第二級分布式放大器由單級共源共柵結構的增益單元構成；第一級分布式放大器的柵極終端電路有效地降低其中電阻的噪聲貢獻。

本發明授權基于三圈耦合電感與多磁耦合反饋回路的超寬帶低噪聲分布式放大器在權利要求書中公布了：1.一種基于三圈耦合電感與多磁耦合反饋回路的超寬帶低噪聲分布式放大器，其特征在于，采用三級級聯架構，包括第一級放大器101、第二級放大器102、第三級放大器103；第一級放大器101由四級增益單元一104組成的分布式放大器構成，第二級放大器102由一級增益單元二105構成單級級聯分布式放大器，第三級放大器103由四級增益單元104組成的分布式放大器構成；增益單元一104和增益單元二105均采用共源共柵結構，共源共柵結構包括共源級晶體管M1和共柵級晶體管M2；共源級晶體管M1的三個端口分別為柵極、漏極和源極；其中柵極為信號輸入端，漏極為信號輸出端，源極短接到地信號；共柵級晶體管M2的三個端口分別為柵極、漏極和源極；其中源極為信號輸入端，漏極為信號輸出端，柵極短接到地信號；共源共柵結構將共源級晶體管M1的漏極與共柵級晶體管M2的源極短接，該結構的信號輸入端為共源級晶體管M1的柵極，信號輸出端為共柵級晶體管M2的漏極； 所述共柵級晶體管的源極串聯電感、柵極串聯電感和漏極串聯電感構成多磁耦合反饋回路，包含在增益單元一104中； 所述增益單元一104與增益單元二105的區別在于，增益單元一104的共柵級晶體管在柵極、漏極和源極均有串聯電感，且呈現出折疊型版圖設計；增益單元二105的共柵級晶體管僅在漏極和源極有串聯電感，且沒有進行折疊型版圖設計； 所述第一級放大器101和第三級放大器103的漏極傳輸線單元電路采用二圈電感耦合結構106； 所述第一級放大器101和第三級放大器103的柵極傳輸線單元電路采用三圈電感耦合結構108； 所述第一級放大器101的柵極傳輸線終端原來的匹配電阻由終端電路107代替； 第一級放大器101和第三級放大器103的電源電壓VDD通過電阻Zd進行饋電，第二級放大器102的電源電壓VDDC通過電阻Zg進行饋電； 所述電阻Zd和電阻Zg同時具備端口匹配功能。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人復旦大學，其通訊地址為：200433 上海市楊浦區邯鄲路220號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。