常州維普半導體設備有限公司徐東亮獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉常州維普半導體設備有限公司申請的專利一種用于半導體掩膜拐角缺陷的檢測方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN120031843B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-26發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202510127092.8，技術領域涉及：G06T7/00；該發明授權一種用于半導體掩膜拐角缺陷的檢測方法是由徐東亮設計研發完成，并于2025-01-30向國家知識產權局提交的專利申請。
本一種用于半導體掩膜拐角缺陷的檢測方法在說明書摘要公布了：本發明公開了一種用于半導體掩膜拐角缺陷的檢測方法，方法的步驟中含有：S1：獲取掩膜的實際采圖和對應的掩膜設計圖的渲染圖；S2：在渲染圖上根據掩膜設計圖標記出對應的拐角位置；S3：將渲染圖和實際采圖進行配準；S4：對每一個拐角位置處的渲染圖和實際采圖分別進行如下操作：亞像素邊緣的定位和對定位的亞像素邊緣點進行連接；S5：對連接的亞像素邊緣點求取拐角特征；S6：設定相應拐角特征的閾值，根據閾值來判定此處的拐角是否為缺陷。通過該方法可以提高拐角的檢測對噪聲的敏感度，減少拐角偽缺陷，提高拐角檢測精度。
本發明授權一種用于半導體掩膜拐角缺陷的檢測方法在權利要求書中公布了：1.一種用于半導體掩膜拐角缺陷的檢測方法，其特征在于，方法的步驟中含有： S1：獲取掩膜的實際采圖和對應的掩膜設計圖的渲染圖； S2：在渲染圖上根據掩膜設計圖標記出對應的拐角位置； S3：將渲染圖和實際采圖進行配準； S4：對每一個拐角位置處的渲染圖和實際采圖分別進行如下操作：亞像素邊緣的定位和對定位的亞像素邊緣點進行連接； S5：對連接的亞像素邊緣點求取拐角特征； S6：設定相應拐角特征的閾值，根據閾值來判定此處的拐角是否為缺陷; 所述拐角特征包括拐角的曲率或曲率和開口方向; 求取拐角的曲率和開口方向的步驟如下： 將進行連接的亞像素邊緣點作為數據集進行最小二乘的圓擬合，以獲取擬合圓的半徑r和圓心； 根據擬合圓的半徑r得到拐角的曲率k=1r；通過將進行連接的每個亞像素邊緣點和圓心組成對應的向量，將向量求和后取平均即獲得拐角的開口方向; 在步驟S6中，根據閾值來判定此處的拐角是否為缺陷具體為： 對渲染圖和實際采圖的相應拐角位置的拐角特征求差，得差值； 比較差值絕對值和閾值； 基于差值絕對值和閾值的比較結果判定相應拐角是否為缺陷。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人常州維普半導體設備有限公司，其通訊地址為：213000 江蘇省常州市新北區華山路18號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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