中國科學院微電子研究所文志東獲國家專利權
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龍圖騰網(wǎng)獲悉中國科學院微電子研究所申請的專利黑硅的制備方法獲國家發(fā)明授權專利權，本發(fā)明授權專利權由國家知識產(chǎn)權局授予，授權公告號為：CN115415664B 。
龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權局官網(wǎng)在2025-09-23發(fā)布的發(fā)明授權授權公告中獲悉：該發(fā)明授權的專利申請?zhí)?專利號為：202211154718.7，技術領域涉及：B23K26/046；該發(fā)明授權黑硅的制備方法是由文志東;侯煜;張喆;張昆鵬;宋琦;許子業(yè);石海燕;李曼;王然;岳嵩;薛美;張紫辰設計研發(fā)完成，并于2022-09-21向國家知識產(chǎn)權局提交的專利申請。
本黑硅的制備方法在說明書摘要公布了：本發(fā)明提供一種黑硅的制備方法，包括：在完成前一加工路徑的誘導加工后，將激光束以聚焦的方式在當前加工路徑的表面形成第一光斑，以對所述當前加工路徑進行第一次誘導加工，使當前加工路徑的表面形成微米級結構；在第一次誘導加工完成之后，將激光束以負離焦的方式在當前加工路徑的表面形成第二光斑，以對所述當前加工路徑進行第二次誘導加工，使當前加工路徑的表面形成納米級結構。本發(fā)明提供的黑硅的制備方法，能夠降低激光加工過程中對材料的保護要求，減少危險化工物品的使用。
本發(fā)明授權黑硅的制備方法在權利要求書中公布了：1.一種黑硅的制備方法，其特征在于，包括： 在完成前一加工路徑的誘導加工后，將激光束以聚焦的方式在當前加工路徑的表面形成第一光斑，以對所述當前加工路徑進行第一次誘導加工，使當前加工路徑的表面形成微米級結構； 在第一次誘導加工完成之后，將激光束以負離焦的方式在當前加工路徑的表面形成第二光斑，以對所述當前加工路徑進行第二次誘導加工，使當前加工路徑的表面形成納米級結構； 其中，第二光斑對當前加工路徑的第二次誘導加工時，對下一加工路徑的雜質堆積形成清洗； 其中，所述第二光斑的直徑為第一光斑直徑的1.15-2.5倍；所述第一光斑的能量密度為0.7-2Jcm2；所述第二光斑的能量密度為0.3-0.5Jcm2。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯(lián)系本專利的申請人或專利權人中國科學院微電子研究所，其通訊地址為：100029 北京市朝陽區(qū)北土城西路3號；或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服，聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。
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1、本報告根據(jù)公開、合法渠道獲得相關數(shù)據(jù)和信息，力求客觀、公正，但并不保證數(shù)據(jù)的最終完整性和準確性。
2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發(fā)布本報告當日的職業(yè)理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據(jù)或者憑證。
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