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龍圖騰網獲悉浙江創芯集成電路有限公司申請的專利半導體結構及其形成方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN119342868B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-23發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202411456806.1，技術領域涉及：H10D30/66；該發明授權半導體結構及其形成方法是由張一鳴;陶然設計研發完成，并于2024-10-16向國家知識產權局提交的專利申請。

本半導體結構及其形成方法在說明書摘要公布了：一種半導體結構及其形成方法，其中方法包括：形成襯底結構，襯底結構包括漏摻雜區和位于漏摻雜區上的漂移區，襯底結構包括相鄰的第一區和第二區，第一區和第二區沿平行于第一面或第二面的方向排布；在第一區的漂移區內形成第一體區，第一體區自第一面向第二面方向延伸，第一體區的導電類型和漂移區的導電類型不同；在第二區的漂移區內形成若干柱狀區，各柱狀區自第一面向第二面方向延伸，若干柱狀區的導電類型與漂移區的導電類型不同；在第一面上形成第一柵極結構，部分第一柵極結構位于第一區上，且另一部分第一柵極結構還位于第二區上；在第一柵極結構一側的第一體區內形成第一源摻雜區，利于提高形成的器件的擊穿電壓，降低器件的導通阻抗。

本發明授權半導體結構及其形成方法在權利要求書中公布了：1.一種半導體結構，其特征在于，包括： 襯底結構，所述襯底結構包括漏摻雜區和位于所述漏摻雜區上的漂移區，所述襯底結構具有相對的第一面和第二面，所述第一面暴露出所述漂移區表面，所述第二面暴露出所述漏摻雜區表面，所述漂移區和所述漏摻雜區的導電類型相同，且所述漂移區的摻雜濃度低于所述漏摻雜區的摻雜濃度，所述襯底結構包括相鄰的第一區和第二區，所述第一區和所述第二區沿平行于所述第一面或所述第二面的方向排布； 位于所述第一區的所述漂移區內的第一體區，所述第一體區自所述第一面向所述第二面方向延伸，所述第一體區的導電類型和所述漂移區的導電類型不同； 位于所述第二區的所述漂移區內的若干柱狀區，若干所述柱狀區自所述第一面向所述第二面方向延伸，若干所述柱狀區的導電類型與所述漂移區的導電類型不同，且若干所述柱狀區未設置在所述第一體區和所述漏摻雜區之間； 位于所述第一面上的第一柵極結構，部分所述第一柵極結構位于所述第一區上，且另一部分所述第一柵極結構還位于所述第二區上； 位于所述第一柵極結構一側的所述第一體區內的第一源摻雜區。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人浙江創芯集成電路有限公司，其通訊地址為：311200 浙江省杭州市蕭山區經濟技術開發區建設三路733號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。