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龍圖騰網獲悉廣東工業大學申請的專利一種高集成柔性超級電容器的封裝方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN119889941B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-23發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202510087353.8，技術領域涉及：H01G11/84；該發明授權一種高集成柔性超級電容器的封裝方法是由劉輝龍;陳梓民;甘力天;肖志文;鄭宇;陳云;陳新;汪正平設計研發完成，并于2025-01-20向國家知識產權局提交的專利申請。

本一種高集成柔性超級電容器的封裝方法在說明書摘要公布了：本發明公開一種高集成柔性超級電容器的封裝方法，包括以下步驟：S1、繪制三層柔性掩膜圖案，其中，第一層柔性掩膜繪制有若干個檢測孔和若干個電極開口區域，所述電極開口區域比實際電極區域的長寬分別大0.15?0.25mm；S2、圖案化加工；S3、貼合與電解質涂覆；S4、待電解質凝固后，依次去除第三層柔性掩膜和第二層柔性掩膜，得到封裝完成的高集成柔性超級電容器。本發明解決目前高集成柔性超級電容器封裝，電解質的涂覆不便，并且無法對各個電極單體進行測量的問題。

本發明授權一種高集成柔性超級電容器的封裝方法在權利要求書中公布了：1.一種高集成柔性超級電容器的封裝方法，其特征在于，包括以下步驟： S1、繪制柔性掩膜圖案：高集成柔性超級電容器的電極陣列排布，根據需要裝配的高集成柔性超級電容器的設計圖案，繪制三層柔性掩膜圖案，由下至上分別為第一層柔性掩膜、第二層柔性掩膜和第三層柔性掩膜； 第一層柔性掩膜繪制有若干個檢測孔和若干個電極開口區域，每個電極開口區域的兩側各設有一個檢測孔，電極開口區域與電極對應；第二層柔性掩膜與第三層柔性掩膜分別繪制有若干個矩陣陣列，第二層柔性掩膜的矩陣陣列與第三層柔性掩膜的矩陣陣列相互垂直，所述矩陣陣列的寬度與電極區域的邊長相等，第二層柔性掩膜與第三層柔性掩膜疊加之后只露出電極區域； 所述電極開口區域比所述電極區域的長寬分別大0.15-0.25mm； S2、圖案化加工：將第一層柔性掩膜的檢測孔和電極開口區域去除，將第二層柔性掩膜和第三層柔性掩膜相互垂直的矩形陣列去除，得到三層柔性掩膜； S3、貼合與電解質涂覆：將三層柔性掩膜由下至上依次貼合于高集成柔性超級電容器上，并在此過程中按壓，然后在電極區域涂覆電解質； S4、待電解質凝固后，依次去除第三層柔性掩膜和第二層柔性掩膜，得到封裝完成的高集成柔性超級電容器。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人廣東工業大學，其通訊地址為：510062 廣東省廣州市越秀區東風東路729號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。