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龍圖騰網獲悉深圳長晶微電子有限公司申請的專利非對稱的半導體放電管芯片及其制作方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN120529601B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-23發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202511020556.1，技術領域涉及：H10D18/80；該發明授權非對稱的半導體放電管芯片及其制作方法是由周雄標;劉宗賀;吳沛冬;郭佳秋;周子民;余強;廖澤華;徐紅英;李金英設計研發完成，并于2025-07-24向國家知識產權局提交的專利申請。

本非對稱的半導體放電管芯片及其制作方法在說明書摘要公布了：本發明公開了一種非對稱的半導體放電管芯片，其包括基板、第一摻雜區、第二摻雜區、第三摻雜區、第四摻雜區、多個第五摻雜區、多個第六摻雜區、第一電極及第二電極。本發明還公開了一種非對稱的半導體放電管芯片的制作方法。發明的非對稱的半導體放電管芯片在第一摻雜區內形成深度從兩側到中間依次減小的多個第五摻雜區，在第二摻雜區內形成寬度從兩側到中間依次增大的多個第六摻雜區，使芯片形成NPN?PNP雙三極管，不僅能滿足正極到負極的低壓快速導通，還能滿足負極到正極的高壓快速放電，從而實現正向、負向過壓不同保護閾值的雙向保護功能。本發明還具有結構簡單、制備工藝環保，且保護性能穩定可靠等特點。

本發明授權非對稱的半導體放電管芯片及其制作方法在權利要求書中公布了：1.一種非對稱的半導體放電管芯片，其特征在于，該芯片包括： 基板，包括相對的上表面和下表面； 第一摻雜區，其為由基板的上表面向下延伸的凹槽結構，所述第一摻雜區與所述基板之間連接有第一PN結； 第二摻雜區，其為由基板的下表面向上延伸的凹槽結構，所述第二摻雜區與所述基板之間連接有第二PN結； 第三摻雜區，設于所述第一PN結的端部位置，其為外側由基板的上表面向下延伸、內側由第一摻雜區的上表面向下延伸的環形槽狀結構，所述第三摻雜區與所述第一摻雜區之間連接有第三PN結，且所述第三PN結的反向雪崩電壓小于第一PN結的反向雪崩電壓； 第四摻雜區，設于所述第二PN結的端部位置，其為外側由基板的下表面向上延伸、內側由第二摻雜區的下表面向上延伸的環形槽狀結構，所述第四摻雜區與所述第二摻雜區之間連接有第四PN結，且所述第四PN結的反向雪崩電壓小于第二PN結的反向雪崩電壓； 多個第五摻雜區，間隔設于所述第三摻雜區的內側，且所述第五摻雜區的深度從兩側到中間依次減小，所述各第五摻雜區分別與所述第一摻雜區之間連接有第五PN結； 多個第六摻雜區，間隔設于所述第四摻雜區的內側，且所述各第六摻雜區的寬度從兩側到中間依次增大，所述各第六摻雜區分別與所述第二摻雜區之間連接有第六PN結； 第一電極，其分別與所述第一摻雜區及第五摻雜區連接； 第二電極，其分別與所述第二摻雜區及第六摻雜區連接。

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