西北大學張耀獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉西北大學申請的專利一種紫磷/二硫化鉬異質結光電探測器及制備方法獲國家發明授權專利權,本發明授權專利權由國家知識產權局授予,授權公告號為:CN116072749B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-19發布的發明授權授權公告中獲悉:該發明授權的專利申請號/專利號為:202310176490.X,技術領域涉及:H10F77/12;該發明授權一種紫磷/二硫化鉬異質結光電探測器及制備方法是由張耀;徐華;江曼;祝濤;李亞蓉設計研發完成,并于2023-02-28向國家知識產權局提交的專利申請。
本一種紫磷/二硫化鉬異質結光電探測器及制備方法在說明書摘要公布了:本發明公開了一種紫磷二硫化鉬異質結光電探測器及制備方法,所述的紫磷二硫化鉬異質結光電探測器包括:襯底;制備在襯底上的VP層;制備在VP層上的MoS2層;制備在MoS2層上的金屬源電極和金屬漏電極;MoS2層將VP層完全覆蓋,金屬源電極和金屬漏電極布置在MoS2層和VP層上的重疊部分。本發明利用MoS2保護VP,可實現在空氣中對VP的保護,所制備的光電探測器具有很好的穩定性,可長時間暴露在空氣中,克服了VP在空氣中不穩定的關鍵應用瓶頸;本發明利用VP和MoS2構筑成異質結,基于VP的光門控效應,VPMoS2異質結器件展現出極高的響應度,探測率及外量子效率。
本發明授權一種紫磷/二硫化鉬異質結光電探測器及制備方法在權利要求書中公布了:1.一種紫磷二硫化鉬異質結光電探測器,其特征在于,所述的紫磷二硫化鉬異質結光電探測器包括: SiSiO2襯底; 制備在所述的襯底上的VP層; 制備在所述的VP層上的MoS2層; 制備在所述的MoS2層上的金屬源電極和金屬漏電極; 所述的MoS2層將VP層完全覆蓋; 所述的金屬源電極和金屬漏電極放置在MoS2層和VP層上的重疊部分; 所述的VP層的厚度為1nm~150nm; 所述的MoS2層的厚度為1nm~100nm; 所述的金屬源電極或金屬漏電極的厚度為5nm~80nm。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術,可聯系本專利的申請人或專利權人西北大學,其通訊地址為:710069 陜西省西安市太白北路229號;或者聯系龍圖騰網官方客服,聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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