深圳市聯潤豐電子科技有限公司黃梓泓獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉深圳市聯潤豐電子科技有限公司申請的專利一種用于實現存儲芯片的封裝測試方法及系統獲國家發明授權專利權,本發明授權專利權由國家知識產權局授予,授權公告號為:CN120259301B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-16發布的發明授權授權公告中獲悉:該發明授權的專利申請號/專利號為:202510736524.5,技術領域涉及:G06T7/00;該發明授權一種用于實現存儲芯片的封裝測試方法及系統是由黃梓泓;梁華清;鄭濤設計研發完成,并于2025-06-04向國家知識產權局提交的專利申請。
本一種用于實現存儲芯片的封裝測試方法及系統在說明書摘要公布了:本發明提供了一種用于實現存儲芯片的封裝測試方法及系統,涉及存儲芯片技術領域,方法包括:采集待封裝存儲芯片的外觀圖像;基于紋理特征差異和結構特征差異對外觀圖像進行分類,確定待封裝存儲芯片的存儲芯片類別;根據存儲芯片類別選擇相對應的封裝類型對待封裝存儲芯片進行封裝,得到目標存儲芯片;對目標存儲芯片外觀圖像進行缺陷識別,得到包括不同外觀缺陷類別的外觀缺陷集;通過測試設備對目標存儲芯片進行性能測試,得到包括不同性能指標的性能參數集;結合外觀缺陷集和性能參數集,計算目標存儲芯片的品質分數;根據品質分數對目標存儲芯片進行標記,完成待封裝存儲芯片的封裝測試。提升封裝測試自動化能力和產品良率。
本發明授權一種用于實現存儲芯片的封裝測試方法及系統在權利要求書中公布了:1.一種用于實現存儲芯片的封裝測試方法,其特征在于,包括: S1:采集待封裝存儲芯片的外觀圖像; S2:基于紋理特征差異和結構特征差異對所述外觀圖像進行分類,確定所述待封裝存儲芯片的存儲芯片類別;具體包括:S201:將所述外觀圖像轉換為灰度圖;S202:利用基于灰度圖二階導數建立描述外觀圖像紋理特征的工藝特征向量;S203:通過極坐標變換算法建立用于消除位置敏感性的結構特征向量;S204:通過正交訓練獲取不同存儲芯片類別的工藝標準模板向量和結構標準模板向量;S205:結合所述工藝特征向量與所述工藝標準模板向量的相對關系,所述結構特征向量與所述結構標準模板向量的相對關系,基于正交投影原理對所述外觀圖像進行分類,得到所述待封裝存儲芯片的存儲芯片類別; 所述S202具體包括:S2021:利用基于所述灰度圖二階導數的自適應頻帶權重項提取所述外觀圖像的紋理加權頻譜;S2022:基于所述紋理加權頻譜建立具有高頻能量聚集度和紋理加權頻譜熵的工藝特征向量; 所述S203具體包括:S2031:以灰度圖中心為極點,將笛卡爾坐標映射至極坐標;S2032:對極點圓周進行灰度積分,獲取徑向角度聯合分布;S2033:計算所述灰度圖在不同極坐標半徑的徑向分布熵;S2034:結合所述徑向角度聯合分布,計算所述灰度圖在不同離散極坐標角度的角度自相關值;S2035:根據所述徑向分布熵和所述角度自相關值建立所述結構特征向量; S3:根據所述存儲芯片類別選擇相對應的封裝類型對所述待封裝存儲芯片進行封裝,得到目標存儲芯片; S4:采集目標存儲芯片外觀圖像; S5:對所述目標存儲芯片外觀圖像進行缺陷識別,得到包括不同外觀缺陷類別的外觀缺陷集; S6:通過測試設備對所述目標存儲芯片進行性能測試,得到包括不同性能指標的性能參數集; S7:結合所述外觀缺陷集和所述性能參數集,計算所述目標存儲芯片的品質分數; S8:根據所述品質分數對所述目標存儲芯片進行標記,完成所述待封裝存儲芯片的封裝測試。
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