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龍圖騰網獲悉長飛先進半導體(武漢)有限公司申請的專利半導體器件及制備方法、功率模塊、功率轉換電路和車輛獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN120282521B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-16發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202510757525.8，技術領域涉及：H10D64/27；該發明授權半導體器件及制備方法、功率模塊、功率轉換電路和車輛是由唐宇坤;羅成志設計研發完成，并于2025-06-09向國家知識產權局提交的專利申請。

本半導體器件及制備方法、功率模塊、功率轉換電路和車輛在說明書摘要公布了：本發明公開了一種半導體器件及制備方法、功率模塊、功率轉換電路和車輛，其中，半導體器件包括：半導體本體，半導體本體包括阱區、第一區域和第二區域，第一區域設置于半導體本體的第一表面，阱區設置于第一區域遠離第一表面的一側；第一表面還設置有柵極溝槽和源極溝槽，第二區域設置于第一表面，并延伸至源極溝槽的底部和側壁，柵極位于柵極溝槽內；源極溝槽結構位于源極溝槽內；第一歐姆接觸層，位于第一表面，第一歐姆接觸層至少覆蓋部分第二區域；第二歐姆接觸層，位于第一歐姆接觸層遠離半導體本體的一側，第二歐姆接觸層至少覆蓋第一歐姆接觸層未覆蓋的第一表面的區域，實現降低半導體器件導通電阻，提高器件的導電效率。

本發明授權半導體器件及制備方法、功率模塊、功率轉換電路和車輛在權利要求書中公布了：1.一種半導體器件，其特征在于，包括： 半導體本體，所述半導體本體包括阱區、第一區域和第二區域，所述第一區域設置于所述半導體本體的第一表面，所述阱區設置于所述第一區域遠離所述第一表面的一側；所述第一表面還設置有柵極溝槽和源極溝槽；所述第二區域設置于所述第一表面，并延伸至所述源極溝槽的側壁和底部；所述第一區域為第一導電類型，所述阱區和所述第二區域為第二導電類型； 柵極，位于所述柵極溝槽內； 源極溝槽結構，位于所述源極溝槽內； 第一歐姆接觸層，位于所述第一表面，所述第一歐姆接觸層至少覆蓋部分所述第二區域；在第一方向，所述第一歐姆接觸層與所述源極溝槽結構的距離為第二距離，以避免所述第一歐姆接觸層與所述源極溝槽結構接觸并反應，所述第一方向垂直于第一表面指向第二表面的方向； 第二歐姆接觸層，位于所述第一表面，其中，至少部分所述第二歐姆接觸層與所述第一歐姆接觸層同層設置，所述第二歐姆接觸層至少覆蓋所述第一歐姆接觸層未覆蓋的所述第一表面的區域。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人長飛先進半導體(武漢)有限公司，其通訊地址為：430000 湖北省武漢市東湖新技術開發區高新大道999號武漢未來科技城龍山創新園一期B4棟18樓546室(自貿區武漢片區)；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。