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龍圖騰網(wǎng)獲悉鎧俠股份有限公司;SK 海力士公司申請(qǐng)的專利磁存儲(chǔ)裝置以及磁存儲(chǔ)裝置的制造方法獲國(guó)家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號(hào)為：CN114203224B 。

龍圖騰網(wǎng)通過(guò)國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-09-12發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請(qǐng)?zhí)?專利號(hào)為：202110733784.9，技術(shù)領(lǐng)域涉及：G11C11/16；該發(fā)明授權(quán)磁存儲(chǔ)裝置以及磁存儲(chǔ)裝置的制造方法是由秋山直紀(jì);吉野健一;河佳英設(shè)計(jì)研發(fā)完成，并于2021-06-30向國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請(qǐng)。

本磁存儲(chǔ)裝置以及磁存儲(chǔ)裝置的制造方法在說(shuō)明書(shū)摘要公布了：本發(fā)明提供磁存儲(chǔ)裝置以及磁存儲(chǔ)裝置的制造方法。磁存儲(chǔ)裝置包括第1開(kāi)關(guān)元件和第2開(kāi)關(guān)元件、分別設(shè)置在第1開(kāi)關(guān)元件和第2開(kāi)關(guān)元件上的第1層疊體和第2層疊體、第1層疊體的側(cè)面上的第1絕緣體以及第2層疊體的側(cè)面上的第2絕緣體。第1開(kāi)關(guān)元件和第2開(kāi)關(guān)元件各自包含可變電阻材料。第1層疊體和第2層疊體各自包括第1鐵磁性層、第2鐵磁性層以及第1鐵磁性層與第2鐵磁性層之間的絕緣層。第1絕緣體與第2絕緣體之間的最窄的間隔比第1開(kāi)關(guān)元件與第2開(kāi)關(guān)元件之間的最窄的間隔窄。

本發(fā)明授權(quán)磁存儲(chǔ)裝置以及磁存儲(chǔ)裝置的制造方法在權(quán)利要求書(shū)中公布了：1.一種磁存儲(chǔ)裝置，具備： 第1開(kāi)關(guān)元件和第2開(kāi)關(guān)元件，各自包含可變電阻材料； 第1層疊體和第2層疊體，分別設(shè)置在所述第1開(kāi)關(guān)元件和所述第2開(kāi)關(guān)元件上，所述第1層疊體和所述第2層疊體各自包括第1鐵磁性層、第2鐵磁性層以及所述第1鐵磁性層與所述第2鐵磁性層之間的絕緣層； 所述第1層疊體的側(cè)面上的第1絕緣體；以及 所述第2層疊體的側(cè)面上的第2絕緣體， 所述第1絕緣體與所述第2絕緣體之間的最窄的間隔比所述第1開(kāi)關(guān)元件與所述第2開(kāi)關(guān)元件之間的最窄的間隔窄， 所述第1絕緣體和所述第2絕緣體具備以下材料，該材料具有比所述第1開(kāi)關(guān)元件和所述第2開(kāi)關(guān)元件低的蝕刻速率。

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