英特爾公司G·A·格拉斯獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉英特爾公司申請的專利用于鍺NMOS晶體管的源/漏擴散阻擋部獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN111066151B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-12發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：201780094218.X，技術領域涉及：H10D30/60；該發明授權用于鍺NMOS晶體管的源/漏擴散阻擋部是由G·A·格拉斯;A·S·默西;K·賈姆布納坦;C·C·邦伯格;T·加尼;J·T·卡瓦列羅斯;B·舒-金;S·H·宋;S·舒克賽設計研發完成，并于2017-09-26向國家知識產權局提交的專利申請。
本用于鍺NMOS晶體管的源/漏擴散阻擋部在說明書摘要公布了：公開了集成電路晶體管結構，其在制造期間減少了從鍺n?MOS器件的源極區域和漏極區域到相鄰的淺溝槽隔離STI區域的n型摻雜劑擴散，例如磷或砷。n?MOS晶體管器件可以包括按原子百分比計至少75％的鍺。在示例實施例中，該結構包括沉積在n?MOS晶體管和STI區域之間的中間擴散阻擋部，以提供摻雜劑擴散減少。在一些實施例中，擴散阻擋部可以包括二氧化硅，該二氧化硅具有按原子百分比計在5％和50％之間的碳濃度。在一些實施例中，可以使用化學氣相沉積CVD、原子層沉積ALD或物理氣相沉積PVD技術來沉積擴散阻擋層，以實現在1?5納米范圍中的擴散阻擋層厚度。
本發明授權用于鍺NMOS晶體管的源/漏擴散阻擋部在權利要求書中公布了：1.一種集成電路IC，包括： 半導體主體，包括按原子百分比計至少75％的鍺； 所述半導體主體上的柵極結構，所述柵極結構包括柵極電介質和柵極電極； 源極區域和漏極區域，均與所述柵極結構相鄰，使得所述柵極結構在所述源極區域與所述漏極區域之間，所述源極區域和所述漏極區域中的至少一者包括n型雜質； 淺溝槽隔離STI區域，與所述源極區域和所述漏極區域中的所述至少一者相鄰；以及 絕緣材料層，在所述源極區域和所述漏極區域中的所述至少一者與所述STI區域之間，其中，所述絕緣材料層與所述STI區域不同，并且其中，所述絕緣材料層包括硅、氧和碳。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人英特爾公司，其通訊地址為：美國加利福尼亞；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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1、本報告根據公開、合法渠道獲得相關數據和信息，力求客觀、公正，但并不保證數據的最終完整性和準確性。
2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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