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龍圖騰網獲悉湖北九峰山實驗室申請的專利一種半導體器件終端結構獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN117894843B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-12發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202311813994.4，技術領域涉及：H10D30/66；該發明授權一種半導體器件終端結構是由王寬;吳陽陽;郭飛;徐少東;成志杰;陳偉;袁俊設計研發完成，并于2023-12-26向國家知識產權局提交的專利申請。

本一種半導體器件終端結構在說明書摘要公布了：本發明提供一種半導體器件終端結構，屬于半導體器件技術領域。該半導體器件終端結構包括襯底、位于襯底上的漂移區、位于襯底背面的陰極，以及陽極；漂移區包括主結區和結終端區；結終端區包括與主結區相鄰的過渡區；陽極的至少一部分位于主結區的上表面；主結區包括第一摻雜區；過渡區包括至少一個具有n級n≥2臺階的溝槽；溝槽內設置有從開口位置沿每一級臺階的內壁延伸至溝槽底部的第二摻雜區；溝槽內部填充有介質層；襯底與漂移區的摻雜類型相同；第二摻雜區和第一摻雜區的摻雜類型相同，且與襯底的摻雜類型相反。該半導體器件終端結構能夠轉移主結邊緣和漂移區深處的電場，并降低過渡區邊緣的集中電場，從而提高器件的擊穿電壓。

本發明授權一種半導體器件終端結構在權利要求書中公布了：1.一種半導體器件終端結構，其特征在于，包括襯底、位于所述襯底上的漂移區、位于所述襯底背離所述漂移區一側的陰極，以及陽極；所述漂移區包括主結區和結終端區；所述結終端區包括與所述主結區相鄰的過渡區以及位于所述過渡區遠離所述主結區一側的分散區；所述主結區包括第一摻雜區；所述過渡區包括至少一個具有n級臺階的溝槽，n為≥2的整數；所述溝槽從所述漂移區背離所述襯底的一側表面向所述襯底的方向延伸；所述溝槽內設置有從所述溝槽的開口位置沿每一級所述臺階的內壁延伸至所述溝槽底部的第二摻雜區；所述溝槽內部填充有介質層；所述襯底與所述漂移區的摻雜類型相同；所述第二摻雜區和所述第一摻雜區的摻雜類型相同，且與所述漂移區的摻雜類型相反；所述第一摻雜區與所述漂移區在所述主結區形成主結；所述陽極從主結區延伸至所述過渡區，并與位于所述溝槽開口位置處的所述第二摻雜區直接接觸； 所述分散區包括多個第三摻雜區形成的多個浮空場限環；或所述分散區包括一個第四摻雜區形成的結終端擴展結構，且所述第四摻雜區與所述第二摻雜區或所述第一摻雜區電連接； 或所述分散區包括多個第三摻雜區和一個第四摻雜區，所述第四摻雜區與所述第二摻雜區或所述第一摻雜區電連接，在所述主結區至所述結終端區的方向上，所述第四摻雜區與所述第三摻雜區依次排列；或所述第三摻雜區分布在所述第四摻雜區內； 所述第三摻雜區、所述第四摻雜區與所述第一摻雜區的摻雜類型均相同。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人湖北九峰山實驗室，其通訊地址為：430000 湖北省武漢市東湖新技術開發區九龍湖街9號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。