深圳平湖實驗室夏云獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉深圳平湖實驗室申請的專利金屬氧化物半導體場效應晶體管及其制備方法和電子設備獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN119730325B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-12發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202411785953.3，技術領域涉及：H10D30/66；該發明授權金屬氧化物半導體場效應晶體管及其制備方法和電子設備是由夏云;萬玉喜;陳剛;曾威;王曉萍;段元淼設計研發完成，并于2024-12-05向國家知識產權局提交的專利申請。
本金屬氧化物半導體場效應晶體管及其制備方法和電子設備在說明書摘要公布了：本公開實施例公開的一種金屬氧化物半導體場效應晶體管及其制備方法和電子設備，由于N+襯底和N型低摻雜半導體層均挖溝槽露出N型漂移層，N型漂移層靠近N+襯底的一側形成高濃度N型雜質摻雜的N+漏極區，并且漏極導電層填充溝槽，開可以大大降低N+襯底的電阻，且無需減薄N+襯底，依然可保持較厚的N+襯底，相比于現有技術減薄N+襯底的方法，本公開降低了碎片風險，可以保持晶圓的機械強度。本公開的漏極導電層直接與N型低摻雜半導體層接觸，有利于金屬氧化物半導體場效應晶體管的體二極管導通時空穴從漏極導電層與N型低摻雜半導體層的接觸面抽走，減少N型漂移層內的空穴密度，有利于降低器件的反向恢復電荷、減少反向恢復電流。
本發明授權金屬氧化物半導體場效應晶體管及其制備方法和電子設備在權利要求書中公布了：1.一種金屬氧化物半導體場效應晶體管，其特征在于，包括： N+襯底，所述N+襯底包括貫穿其厚度的第一溝槽； N型低摻雜半導體層，位于所述N+襯底的一側，所述N型低摻雜半導體層包括貫穿其厚度的第二溝槽，所述第一溝槽和所述第二溝槽重疊； N型漂移層，位于所述N型低摻雜半導體層遠離所述N+襯底的一側； N+漏極區，位于所述N型漂移層中，且位于所述N型漂移層靠近所述N+襯底的一側，所述N+漏極區覆蓋所述第二溝槽； 漏極導電層，覆蓋所述N+襯底遠離所述N型漂移層的一側，且填充所述第一溝槽和所述第二溝槽至與所述N+漏極區接觸；所述漏極導電層與所述第二溝槽位置的所述N型低摻雜半導體層的側面接觸。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人深圳平湖實驗室，其通訊地址為：518116 廣東省深圳市龍崗區平湖街道中科億方智匯產業園12棟；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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