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龍圖騰網(wǎng)獲悉中芯國際集成電路制造(上海)有限公司;中芯國際集成電路制造(北京)有限公司申請的專利半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其形成方法獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號為：CN113540237B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-09-23發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請?zhí)?專利號為：202010290935.3，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H10D30/62；該發(fā)明授權(quán)半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其形成方法是由趙猛設(shè)計研發(fā)完成，并于2020-04-14向國家知識產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請。

本半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其形成方法在說明書摘要公布了：一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其形成方法，其中結(jié)構(gòu)包括：基底，所述基底表面具有偽柵極結(jié)構(gòu)；分別位于所述偽柵極結(jié)構(gòu)兩側(cè)的基底內(nèi)的源漏開口；位于所述源漏開口側(cè)壁的第一應(yīng)力層；位于所述源漏開口底部、以及所述第一應(yīng)力層上的第二應(yīng)力層，所述第二應(yīng)力層填充滿所述源漏開口，且所述第一應(yīng)力層的應(yīng)力小于所述第二應(yīng)力層的應(yīng)力。所述第一應(yīng)力層僅位于源漏開口的側(cè)壁，占用所述源漏開口較小的空間，使得在源漏開口內(nèi)形成的第二應(yīng)力層的體積較大，進(jìn)而提高所述第二應(yīng)力層對溝道的應(yīng)力。同時，所述第一應(yīng)力層能夠緩解基底和第二應(yīng)力層之間的界面缺陷，進(jìn)而能夠減少對溝道的影響，改善短溝道效應(yīng)。

本發(fā)明授權(quán)半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其形成方法在權(quán)利要求書中公布了：1.一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括： 基底，所述基底表面具有偽柵極結(jié)構(gòu)，所述基底包括鰭部，所述偽柵極結(jié)構(gòu)橫跨所述鰭部，且所述偽柵極結(jié)構(gòu)覆蓋部分鰭部的頂部表面和側(cè)壁表面； 分別位于所述偽柵極結(jié)構(gòu)兩側(cè)的基底內(nèi)的源漏開口，所述源漏開口位于所述偽柵極結(jié)構(gòu)兩側(cè)的鰭部內(nèi)； 位于所述源漏開口側(cè)壁的第一應(yīng)力層，所述第一應(yīng)力層覆蓋所述源漏開口側(cè)壁且露出所述源漏開口底部表面，所述第一應(yīng)力層側(cè)壁位于側(cè)墻正投影下方的鰭部內(nèi)； 位于所述源漏開口底部、以及所述第一應(yīng)力層上的第二應(yīng)力層，所述第二應(yīng)力層填充滿所述源漏開口，且所述第一應(yīng)力層的應(yīng)力小于所述第二應(yīng)力層的應(yīng)力。

如需購買、轉(zhuǎn)讓、實施、許可或投資類似專利技術(shù)，可聯(lián)系本專利的申請人或?qū)＠麢?quán)人中芯國際集成電路制造(上海)有限公司;中芯國際集成電路制造(北京)有限公司，其通訊地址為：201203 上海市浦東新區(qū)張江路18號；或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服，聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。