英飛凌科技股份有限公司R.魯普獲國家專利權
買專利賣專利找龍圖騰，真高效！ 查專利查商標用IPTOP,全免費！專利年費監控用IP管家,真方便！
龍圖騰網獲悉英飛凌科技股份有限公司申請的專利制造碳化硅器件的方法和在處置襯底中包括激光修改區帶的晶片復合體獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN111916348B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-23發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202010381250.X，技術領域涉及：H01L21/268；該發明授權制造碳化硅器件的方法和在處置襯底中包括激光修改區帶的晶片復合體是由R.魯普;M.德拉吉西;T.F.W.赫希鮑爾;W.萊納特;M.皮辛設計研發完成，并于2020-05-08向國家知識產權局提交的專利申請。
本制造碳化硅器件的方法和在處置襯底中包括激光修改區帶的晶片復合體在說明書摘要公布了：公開了制造碳化硅器件的方法和在處置襯底中包括激光修改區帶的晶片復合體。晶片復合體900包括處置襯底100、形成在處置襯底100的第一主表面101上的輔助層200、以及形成在輔助層200之上的碳化硅結構320。使處置襯底100經受激光輻照，其中，激光輻照沿著處置襯底100中的焦平面105修改晶體材料。焦平面105與第一主表面101平行。輔助層200被適配為阻止激光輻照在處置襯底100中可能生成的微裂紋156的傳播。
本發明授權制造碳化硅器件的方法和在處置襯底中包括激光修改區帶的晶片復合體在權利要求書中公布了：1.一種制造碳化硅器件的方法，所述方法包括： 提供晶片復合體900，晶片復合體900包括處置襯底100、形成在處置襯底100的第一表面101上的輔助層200、和形成在輔助層200之上的碳化硅結構320；以及 使處置襯底100經受激光輻照，其中激光輻照沿著處置襯底100中的焦平面105修改晶體材料，其中焦平面105平行于第一主表面101， 其中，輔助層200被適配為阻止由激光輻照在處置襯底100中生成的微裂紋156的傳播。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人英飛凌科技股份有限公司，其通訊地址為：德國瑙伊比貝爾格市坎芘昂1－15號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
以上內容由AI智能生成
免責聲明
1、本報告根據公開、合法渠道獲得相關數據和信息，力求客觀、公正，但并不保證數據的最終完整性和準確性。
2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
1、本報告根據公開、合法渠道獲得相關數據和信息，力求客觀、公正，但并不保證數據的最終完整性和準確性。
2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
開放平臺
擔保交易
惠及多方
會員特惠
專屬平臺
適合多方
數據共享
功能齊全
皖公網安備 34010402703815號