北京晶澳太陽能光伏科技有限公司孫自強獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉北京晶澳太陽能光伏科技有限公司申請的專利背接觸電池及其制備方法、光伏組件獲國家發明授權專利權,本發明授權專利權由國家知識產權局授予,授權公告號為:CN120282585B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-12發布的發明授權授權公告中獲悉:該發明授權的專利申請號/專利號為:202510756955.8,技術領域涉及:H10F77/20;該發明授權背接觸電池及其制備方法、光伏組件是由孫自強;于海斌;范華磊設計研發完成,并于2025-06-06向國家知識產權局提交的專利申請。
本背接觸電池及其制備方法、光伏組件在說明書摘要公布了:本公開的實施例提供了一種背接觸電池及其制備方法、光伏組件,其中,背接觸電池包括:硅基體(1),背面具有第一區(A)、第二區(B)和間隔區(C),相鄰第一區(A)和第二區(B)通過間隔區(C)分隔,第一區(A)包括鄰接的為絨面的第一子區(A1)和為拋光面的第二子區(A2);發射極,具有第一導電類型,設在硅基體(1)的背面,且發射極包括位于第一子區(A1)的第一發射極部分(3)和位于第二子區(A2)的第二發射極部分(5);載流子收集層,具有與第一導電類型相反的第二導電類型,設于硅基體(1)的背面且位于第二區(B);和第一電極(12),與第一發射極部分(3)歐姆接觸。該背接觸電池具有優異的電學性能。
本發明授權背接觸電池及其制備方法、光伏組件在權利要求書中公布了:1.一種背接觸電池,其特征在于,包括: 硅基體(1),背面具有第一區(A)、第二區(B)和間隔區(C),相鄰的所述第一區(A)和所述第二區(B)通過所述間隔區(C)分隔開,所述第一區(A)包括鄰接的第一子區(A1)和第二子區(A2),所述第一子區(A1)為絨面,所述第二子區(A2)為拋光面; 發射極,具有第一導電類型,設在所述硅基體(1)的背面,且所述發射極包括位于所述第一子區(A1)的第一發射極部分(3)和位于所述第二子區(A2)的第二發射極部分(5),所述第一導電類型為P型; 載流子收集層,包括隧穿層(7)和摻雜多晶硅層(8),所述隧穿層(7)設置于所述硅基體(1)的背面且位于所述第二區(B),所述摻雜多晶硅層(8)設在所述隧穿層(7)遠離所述硅基體(1)的一側,所述摻雜多晶硅層(8)具有與所述第一導電類型相反的第二導電類型,所述第二導電類型為N型;和 第一電極(12),與所述第一發射極部分(3)歐姆接觸。
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