德州儀器公司胡炳華獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉德州儀器公司申請的專利具有深溝槽隔離及溝槽電容器的半導體裝置獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN112840450B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-12發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：201980067474.9，技術領域涉及：H10D84/03；該發明授權具有深溝槽隔離及溝槽電容器的半導體裝置是由胡炳華;A·薩多夫尼科夫;A·阿里;Y·潘;S·赫策設計研發完成，并于2019-12-17向國家知識產權局提交的專利申請。
本具有深溝槽隔離及溝槽電容器的半導體裝置在說明書摘要公布了：本發明揭示一種半導體裝置100，其具有隔離結構120及溝槽電容器130，所述隔離結構120及所述溝槽電容器130各自使用單個抗蝕劑掩模蝕刻不同寬度及不同深度的對應第一及第二溝槽121、131來形成，并且具有形成于溝槽側壁上的電介質襯層121、131及填充所述溝槽121、131的多晶硅126、136及環繞所述溝槽121、131的深摻雜區域122、132，包含金屬化結構154、156的將所述隔離結構溝槽121的所述多晶硅126連接到所述深摻雜區域122以形成隔離結構120的導電特征160、162。
本發明授權具有深溝槽隔離及溝槽電容器的半導體裝置在權利要求書中公布了：1.一種半導體裝置，其包括： 半導體表面層，其具有第一導電類型； 掩埋層，其具有第二導電類型，所述掩埋層設置在半導體襯底上和所述半導體表面層下； 金屬化結構，其在所述半導體表面層上延伸；及 隔離結構，其包含： 第一溝槽，其從所述半導體表面層的頂側延伸通過所述掩埋層并進入所述半導體襯底， 第一電介質襯層，其沿著所述第一溝槽的側壁延伸， 第一多晶硅，其具有所述第一導電類型，所述第一多晶硅在所述第一電介質襯層內部延伸且填充所述第一溝槽到所述半導體表面層的所述頂側， 第一摻雜區域，其具有所述第二導電類型，所述第一摻雜區域環繞所述第一溝槽的輪廓且從所述半導體表面層的所述頂側線性地延伸通過所述掩埋層，及 所述金屬化結構的第一導電特征，其將所述第一多晶硅連接到所述第一摻雜區域。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人德州儀器公司，其通訊地址為：美國德克薩斯州；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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