中國科學院微電子研究所;真芯(北京)半導體有限責任公司吳在晚獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉中國科學院微電子研究所;真芯(北京)半導體有限責任公司申請的專利檢測半導體結構中金屬孔洞缺陷的方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN115050660B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-09發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202110254908.5，技術領域涉及：H01L21/66；該發明授權檢測半導體結構中金屬孔洞缺陷的方法是由吳在晚;金德容;吳容哲;余嘉晗;曲揚設計研發完成，并于2021-03-09向國家知識產權局提交的專利申請。
本檢測半導體結構中金屬孔洞缺陷的方法在說明書摘要公布了：本發明涉及一種檢測半導體結構中金屬孔洞缺陷的方法。一種檢測半導體結構中金屬孔洞缺陷的方法，包括：在半導體結構中形成金屬填充物；對所述金屬填充物進行第一次亮場檢測；對所述金屬填充物進行快速熱退火處理；對快速熱退火處理后的所述金屬填充物進行第二次亮場檢測；分析所述第一次亮場檢測和所述第二次亮場檢測的數據，獲得所述金屬填充物的孔洞缺陷分布。本發明通過增加熱退火處理使深處填充的金屬中的孔洞轉變為易檢測的狀態，從而提供更準確的檢測結果。
本發明授權檢測半導體結構中金屬孔洞缺陷的方法在權利要求書中公布了：1.一種檢測半導體結構中金屬孔洞缺陷的方法，其特征在于，包括： 在半導體結構中形成金屬填充物； 對所述金屬填充物進行第一次亮場檢測； 對所述金屬填充物進行快速熱退火處理； 對快速熱退火處理后的所述金屬填充物進行第二次亮場檢測； 分析所述第一次亮場檢測和所述第二次亮場檢測的數據，獲得所述金屬填充物的孔洞缺陷分布；其中，所述分析的過程為：在所述第二次亮場檢測的孔洞缺陷中扣除所述第一次亮場檢測的孔洞缺陷。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人中國科學院微電子研究所;真芯(北京)半導體有限責任公司，其通訊地址為：100029 北京市朝陽區北土城西路3號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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