聯華電子股份有限公司蔡明樺獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉聯華電子股份有限公司申請的專利半導體裝置以及其制作方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN115377181B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-09發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202110558119.0，技術領域涉及：H10D62/10；該發明授權半導體裝置以及其制作方法是由蔡明樺;韓蓉;李明锜;林志謀;洪裕祥;林煜翔;施子瑯設計研發完成，并于2021-05-21向國家知識產權局提交的專利申請。
本半導體裝置以及其制作方法在說明書摘要公布了：本發明公開一種半導體裝置以及其制作方法，其中該半導體裝置包括半導體基底、第一柵極氧化物層以及第一源極漏極摻雜區。第一柵極氧化物層設置在半導體基底上，第一柵極氧化物層包括主要部分以及邊緣部分，且邊緣部分具有一傾斜側壁。第一源極漏極摻雜區設置在半導體基底中且與第一柵極氧化物層的邊緣部分相鄰設置。第一源極漏極摻雜區包括第一部分與第二部分。第一部分在垂直方向上設置在第一柵極氧化物層的邊緣部分之下，而第二部分與第一部分相連。
本發明授權半導體裝置以及其制作方法在權利要求書中公布了：1.一種半導體裝置，包括： 半導體基底； 第一柵極氧化物層，設置在該半導體基底上，其中該第一柵極氧化物層包括： 主要部分；以及 邊緣部分，具有傾斜側壁； 第一源極漏極摻雜區，設置在該半導體基底中且與該第一柵極氧化物層的該邊緣部分相鄰設置，其中該第一源極漏極摻雜區包括： 第一部分，在垂直方向上設置在該第一柵極氧化物層的該邊緣部分之下；以及 第二部分，與該第一部分相連；以及 輕摻雜源極漏極區，設置在該半導體基底中且在該垂直方向上部分位于該第一柵極氧化物層之下，其中該第一源極漏極摻雜區設置在該輕摻雜源極漏極區中，且該第一源極漏極摻雜區的摻雜物濃度高于該輕摻雜源極漏極區的摻雜物濃度。
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2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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