信越化學工業株式會社橋上洋獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉信越化學工業株式會社申請的專利半導體層疊體、半導體元件及半導體元件的制造方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN116157550B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-09發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202180057772.7，技術領域涉及：C30B29/16；該發明授權半導體層疊體、半導體元件及半導體元件的制造方法是由橋上洋設計研發完成，并于2021-06-18向國家知識產權局提交的專利申請。
本半導體層疊體、半導體元件及半導體元件的制造方法在說明書摘要公布了：本發明為一種半導體層疊體，其至少包括基體、緩沖層及至少包含一種金屬元素的具有剛玉結構的結晶性金屬氧化物半導體膜，所述半導體層疊體在所述基體的主表面上直接或隔著其他層具有所述緩沖層、在所述緩沖層上具有所述結晶性金屬氧化物半導體膜，所述半導體層疊體的特征在于，所述緩沖層為組成各自不同的多層緩沖膜的層疊結構體，所述多層緩沖膜中至少有兩層緩沖膜的膜厚為200nm以上650nm以下。由此，可提供即使通過異質外延生長而形成時，也具有結晶缺陷、翹曲及裂紋被抑制的高品質的剛玉型結晶性金屬氧化物半導體膜的半導體層疊體。
本發明授權半導體層疊體、半導體元件及半導體元件的制造方法在權利要求書中公布了：1.一種半導體層疊體，其至少包括基體、緩沖層及至少包含一種金屬元素的剛玉結構的結晶性金屬氧化物半導體膜， 所述半導體層疊體在所述基體的主表面上直接具有所述緩沖層、在所述緩沖層上具有與該緩沖層接觸的所述結晶性金屬氧化物半導體膜， 所述半導體層疊體的特征在于， 所述緩沖層為組成各自不同的多層緩沖膜的層疊結構體， 所述多層緩沖膜中至少有兩層緩沖膜的膜厚為200nm以上650nm以下， 所述緩沖膜包含所述結晶性金屬氧化物半導體膜所含的金屬元素中所含最多的主成分金屬元素、及所述緩沖層的襯底所含的金屬元素中所含最多的主成分金屬元素， 所述緩沖層為以隨著從所述緩沖層的所述基體側朝向所述結晶性金屬氧化物半導體膜側，所述結晶性金屬氧化物半導體膜的所述主成分金屬元素的組成比變大的方式層疊所述多層緩沖膜而成的層疊結構體，且為所述緩沖層的襯底的所述主成分金屬元素的組成比變小的方式層疊所述多層緩沖膜而成的層疊結構體。
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2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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