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龍圖騰網獲悉長鑫存儲技術有限公司申請的專利閂鎖測試結構獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN115910998B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-09發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202110903890.7，技術領域涉及：H01L23/544；該發明授權閂鎖測試結構是由許杞安設計研發完成，并于2021-08-06向國家知識產權局提交的專利申請。

本閂鎖測試結構在說明書摘要公布了：本發明提供一種閂鎖測試結構，包括：第一導電類型的襯底；第一導電類型的第一阱區，位于第一導電類型的襯底內；第一導電類型的第一摻雜區，位于第一導電類型的第一阱區內；第二導電類型的第一摻雜區，位于第一導電類型的第一阱區內；于第一導電類型的襯底內間隔排布的第一導電類型的第二摻雜區、第二導電類型的第二摻雜區、第一導電類型的第三摻雜區及第二導電類型的第三摻雜區，第一導電類型的第二摻雜區、第二導電類型的第二摻雜區、第一導電類型的第三摻雜區及第二導電類型的第三摻雜區均位于第二導電類型的第一摻雜區遠離第一導電類型的第一摻雜區的一側。上述閂鎖測試結構可在一定外界條件下觸發閂鎖，以提取電學參數，改善半導體結構設計。

本發明授權閂鎖測試結構在權利要求書中公布了：1.一種閂鎖測試結構，其特征在于，所述閂鎖測試結構包括： 第一導電類型的襯底； 第一導電類型的第一阱區，位于所述第一導電類型的襯底內； 第一導電類型的第一摻雜區，位于所述第一導電類型的第一阱區內； 第二導電類型的第一摻雜區，位于所述第一導電類型的第一阱區內，且與所述第一導電類型的第一摻雜區具有間距； 于所述第一導電類型的襯底內間隔排布的第一導電類型的第二摻雜區、第二導電類型的第二摻雜區、第一導電類型的第三摻雜區及第二導電類型的第三摻雜區，所述第一導電類型的第二摻雜區、所述第二導電類型的第二摻雜區、所述第一導電類型的第三摻雜區及所述第二導電類型的第三摻雜區均位于所述第二導電類型的第一摻雜區遠離所述第一導電類型的第一摻雜區的一側，且均與所述第一導電類型的第一阱區具有間距； 所述第二導電類型的第一摻雜區的上表面設置有第一電極，所述第一導電類型的第一摻雜區的上表面設置有第二電極；第一電極與公共接地端相連接，所述閂鎖測試結構通過所述第二電極輸入電流。

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