武漢理工大學劉保順獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉武漢理工大學申請的專利一種非晶襯底VO2單晶薄膜及其制備方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN117418202B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-09發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202311187852.1，技術領域涉及：C23C14/35；該發明授權一種非晶襯底VO2單晶薄膜及其制備方法是由劉保順;趙修建設計研發完成，并于2023-09-13向國家知識產權局提交的專利申請。
本一種非晶襯底VO2單晶薄膜及其制備方法在說明書摘要公布了：本發明公開了一種非晶襯底VO2單晶薄膜，它為在非晶襯底上生長的VO2單晶薄膜；具體制備步驟包括：1以釩氧化物為靶材，在惰性氣氛下進行磁控濺射，在非晶襯底表面形成無序狀釩氧化物薄膜；2將所得無序狀釩氧化物膜放入反應容器中通入氧氣并調節氣壓，然后加熱進行退火氧化，得所述VO2單晶薄膜。本發明首次提出在玻璃等非晶襯底上實現高質量VO2單晶薄膜的構建，所述VO2單晶薄膜相變前后電阻變化比達三個數量級以上，可兼顧良好的電學性能和光學性能等；且涉及的制備方法較簡單、操作方便，可為高質量單晶VO2薄膜的制備提供一條新思路。
本發明授權一種非晶襯底VO2單晶薄膜及其制備方法在權利要求書中公布了：1.一種非晶襯底VO2單晶薄膜的制備方法，其特征在于，包括以下步驟： 1）以釩氧化物為靶材，在惰性氣氛下進行磁控濺射，在非晶襯底表面形成無序狀釩氧化物薄膜； 2）將所得無序狀釩氧化物膜放入反應容器中，通入氧氣調節氣壓，然后加熱進行退火氧化，得所述VO2單晶薄膜； 所述磁控濺射步驟采用的惰性氣體流量為10~20sccm、濺射工作氣壓為3~10mtorr、釩氧化物靶濺射功率為50~100W、基片溫度為室溫，濺射時間為100~140min； 步驟2）中所述氧氣的流量為2~10sccm，氣壓為50~250mTorr； 所述退火氧化步驟采用的溫度為480~550℃，時間為30~60min。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人武漢理工大學，其通訊地址為：430070 湖北省武漢市洪山區珞獅路122號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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