應用材料公司黃祖濱獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉應用材料公司申請的專利非晶硅的遠程電容耦合等離子體沉積獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN112005342B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-19發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：201980027478.4，技術領域涉及：H01L21/02；該發明授權非晶硅的遠程電容耦合等離子體沉積是由黃祖濱;程睿;C-A·陳;K·嘉納基拉曼設計研發完成，并于2019-03-13向國家知識產權局提交的專利申請。
本非晶硅的遠程電容耦合等離子體沉積在說明書摘要公布了：提供一種用于沉積非晶硅材料的方法，并且所述方法包括：在與工藝腔室流體連通的等離子體單元內產生等離子體；和使所述等離子體流動穿過離子抑制器以產生含有反應性物種和中性物種的活化流體。所述活化流體不含離子或者含有比所述等離子體更低濃度的離子。所述方法進一步包括：使所述活化流體流入所述工藝腔室內的雙通道噴頭的第一入口；和使硅前驅物流入所述雙通道噴頭的第二入口。此后，所述方法包括：使所述活化流體和所述硅前驅物的混合物從所述雙通道噴頭流出；和在所述工藝腔室中設置的基板上形成非晶硅層。
本發明授權非晶硅的遠程電容耦合等離子體沉積在權利要求書中公布了：1.一種方法，包括： 在與工藝腔室流體連通的等離子體單元內產生等離子體，其中所述等離子體單元包括由離子抑制器分離的面板和離子阻擋器； 使所述等離子體流動穿過所述離子抑制器以產生包括反應性物種和中性物種的活化流體，其中所述活化流體具有比所述等離子體的離子濃度低50％至99％的離子濃度； 使所述活化流體流入所述工藝腔室內的雙通道噴頭的第一入口； 使硅前驅物流入所述雙通道噴頭的第二入口； 使所述活化流體和所述硅前驅物的混合物從所述雙通道噴頭流出；和 在所述工藝腔室中設置的基板上形成非晶硅層。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人應用材料公司，其通訊地址為：美國加利福尼亞州；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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1、本報告根據公開、合法渠道獲得相關數據和信息，力求客觀、公正，但并不保證數據的最終完整性和準確性。
2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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