上海芯龍半導(dǎo)體技術(shù)股份有限公司涂少威獲國(guó)家專利權(quán)
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龍圖騰網(wǎng)獲悉上海芯龍半導(dǎo)體技術(shù)股份有限公司申請(qǐng)的專利一種光電器件封裝結(jié)構(gòu)及其制作方法獲國(guó)家發(fā)明授權(quán)專利權(quán),本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局授予,授權(quán)公告號(hào)為:CN120417582B 。
龍圖騰網(wǎng)通過(guò)國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-09-09發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉:該發(fā)明授權(quán)的專利申請(qǐng)?zhí)?專利號(hào)為:202510906361.0,技術(shù)領(lǐng)域涉及:H10F77/50;該發(fā)明授權(quán)一種光電器件封裝結(jié)構(gòu)及其制作方法是由涂少威;李瑞平設(shè)計(jì)研發(fā)完成,并于2025-07-02向國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請(qǐng)。
本一種光電器件封裝結(jié)構(gòu)及其制作方法在說(shuō)明書摘要公布了:本發(fā)明提供了一種光電器件封裝結(jié)構(gòu)及其制作方法,應(yīng)用于半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域。在本發(fā)明中,熱管理結(jié)構(gòu)包括多層半導(dǎo)體層,其中第二半導(dǎo)體層開(kāi)設(shè)有多個(gè)相互分隔排布的矩形凹槽,每一矩形凹槽下方的第一半導(dǎo)體層內(nèi)開(kāi)始有多個(gè)硅通孔,而多個(gè)矩形凹槽的外側(cè)設(shè)置有環(huán)繞在其四周的中空腔體(真空腔體),以通過(guò)將光電器件的不同輻射檢測(cè)組件分別設(shè)置在不同的矩形凹槽內(nèi)的方式,實(shí)現(xiàn)隔離外部交變熱場(chǎng)環(huán)境對(duì)光電器件的熱擾動(dòng)和隔離不同輻射檢測(cè)組件之間的輻射串?dāng)_,并利用硅通孔及時(shí)導(dǎo)出輻射檢測(cè)組件內(nèi)部熱量,即在實(shí)現(xiàn)隔離光電器件在外部交變熱場(chǎng)環(huán)境下的熱擾動(dòng)的同時(shí),保持光電器件內(nèi)部溫度的穩(wěn)定,并最終提高了光電器件的效能和可靠度。
本發(fā)明授權(quán)一種光電器件封裝結(jié)構(gòu)及其制作方法在權(quán)利要求書中公布了:1.一種光電器件封裝結(jié)構(gòu),其特征在于,包括: 基板; 至少一熱管理結(jié)構(gòu),位于所述基板上,所述熱管理結(jié)構(gòu)包括: 第一半導(dǎo)體層; 第二半導(dǎo)體層,位于所述第一半導(dǎo)體層上,包括多個(gè)沿第一方向相互分隔設(shè)置且分別貫穿所述第二半導(dǎo)體層的矩形凹槽、以及沿所述第一方向和第二方向環(huán)繞在所述多個(gè)矩形凹槽外側(cè)且位于所述第二半導(dǎo)體層內(nèi)的中空腔體; 第三半導(dǎo)體層,位于所述第二半導(dǎo)體層上,且在第三方向上,所述第三半導(dǎo)體層的投影與所述第二半導(dǎo)體層的投影交疊; 其中,所述第二半導(dǎo)體層和所述第一半導(dǎo)體層一體成型,所述第一方向和所述第二方向相互垂直,所述第三方向與所述第一方向和所述第二方向所在的平面垂直。
如需購(gòu)買、轉(zhuǎn)讓、實(shí)施、許可或投資類似專利技術(shù),可聯(lián)系本專利的申請(qǐng)人或?qū)@麢?quán)人上海芯龍半導(dǎo)體技術(shù)股份有限公司,其通訊地址為:201206 上海市浦東新區(qū)中國(guó)(上海)自由貿(mào)易試驗(yàn)區(qū)新金橋路1888號(hào)18幢;或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服,聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。
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