買(mǎi)專(zhuān)利賣(mài)專(zhuān)利找龍圖騰，真高效！ 查專(zhuān)利查商標(biāo)用IPTOP,全免費(fèi)！專(zhuān)利年費(fèi)監(jiān)控用IP管家,真方便！

龍圖騰網(wǎng)獲悉南通恒銳半導(dǎo)體有限公司申請(qǐng)的專(zhuān)利一種碳化硅外延氧化鎵薄膜及其制備方法獲國(guó)家發(fā)明授權(quán)專(zhuān)利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專(zhuān)利權(quán)由國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號(hào)為：CN120400981B 。

龍圖騰網(wǎng)通過(guò)國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-09-09發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專(zhuān)利申請(qǐng)?zhí)?專(zhuān)利號(hào)為：202510908426.5，技術(shù)領(lǐng)域涉及：C30B25/04；該發(fā)明授權(quán)一種碳化硅外延氧化鎵薄膜及其制備方法是由袁書(shū)文;李京波;張夢(mèng)龍;孫一鳴;張海平;羅昆明設(shè)計(jì)研發(fā)完成，并于2025-07-02向國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的專(zhuān)利申請(qǐng)。

本一種碳化硅外延氧化鎵薄膜及其制備方法在說(shuō)明書(shū)摘要公布了：本發(fā)明涉及半導(dǎo)體材料技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種碳化硅外延氧化鎵薄膜及其制備方法，本發(fā)明采用金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積法，在碳化硅襯底片上依次生長(zhǎng)二氧化硅掩膜層、氮化鋁低溫緩沖層、氮化鋁高溫緩沖層與氧化鎵薄膜層；其中，二氧化硅掩膜層中含有少量的氮化鋁，能迅速傳遞熱源，進(jìn)而能有效提高氧化鎵薄膜的熱導(dǎo)率；對(duì)以碳化硅為襯底的二氧化硅掩膜層進(jìn)行了兩次等離子體刻蝕，增加了氮化鋁緩沖層面平整度，進(jìn)而有效抑制了氧化鎵生長(zhǎng)過(guò)程中的位錯(cuò)和臺(tái)階型缺陷，提高了氧化鎵薄膜生長(zhǎng)質(zhì)量。本申請(qǐng)通過(guò)異質(zhì)外延技術(shù)，不僅能減少氧化鎵薄膜的生產(chǎn)成本，同時(shí)使其具有較高的熱導(dǎo)率，與現(xiàn)有技術(shù)相比，具有廣泛的應(yīng)用前景。

本發(fā)明授權(quán)一種碳化硅外延氧化鎵薄膜及其制備方法在權(quán)利要求書(shū)中公布了：1.一種碳化硅外延氧化鎵薄膜的制備方法，其特征在于，包括以下步驟： 步驟S1.取半絕緣的碳化硅置于去離子水超聲清洗10-15min，再用SPM溶液清洗10-15min，最后用超純水清洗5-7min，置于75-80℃條件下干燥3-5min，得到碳化硅襯底層； 步驟S2.將硅烷供給到放置有碳化硅襯底的反應(yīng)腔體中，并利用等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積法在碳化硅上沉積二氧化硅薄膜，設(shè)置沉積溫度為340-360°C，產(chǎn)生等離子體的射頻功率為330-350W，以氮?dú)鉃檩d體，分別設(shè)置三甲基鋁和NH3的載氣流量為A1和B1，并持續(xù)通入10-15s，再設(shè)置硅烷的氣體流量為60-70sccm，將所得二氧化硅薄膜進(jìn)行退火，得到以碳化硅為襯底的二氧化硅掩膜層； 步驟S3.以氮?dú)鉃檩d體，CHF3為刻蝕氣體，對(duì)以碳化硅為襯底的二氧化硅掩膜層進(jìn)行第一次等離子體刻蝕，隨后用SPM溶液清洗12-15min，再用超純水清洗7-12min，置于75-80℃條件下干燥3-5min，得到一次等離子體刻蝕的碳化硅襯底； 步驟S4.以氮?dú)鉃檩d體，CHF3為刻蝕氣體，對(duì)以碳化硅為襯底的二氧化硅掩膜層進(jìn)行第二次等離子體刻蝕，隨后用SPM溶液清洗12-15min，再用超純水清洗7-12min，置于75-80℃條件下干燥3-5min，得到二次等離子體刻蝕的碳化硅襯底； 步驟S5.將經(jīng)過(guò)二次等離子體刻蝕的碳化硅襯底裝入金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積腔體進(jìn)行外延工藝，設(shè)置反應(yīng)腔壓力為40Torr，以三甲基鋁和NH3作為Al源和N源、N2為載氣，通過(guò)控制流量計(jì)設(shè)置三甲基鋁的載氣流量為A2，預(yù)鋪Al5-6s后，再控制流量計(jì)設(shè)置NH3的載氣流量為B2，設(shè)置生長(zhǎng)溫度為C1形成低溫氮化鋁緩沖層，再設(shè)置生長(zhǎng)溫度為C2形成高溫氮化鋁緩沖層； 步驟S6.調(diào)控反應(yīng)室壓力為35-40mTorr，反應(yīng)腔溫度設(shè)置為C3，采用三乙基鎵和氧氣作為Ga源和O源，N2為載氣，控制流量計(jì)設(shè)置三乙基鎵和氧氣的載氣流量，即得碳化硅外延氧化鎵薄膜； 所述二氧化硅掩膜層的厚度為90-110nm。

如需購(gòu)買(mǎi)、轉(zhuǎn)讓、實(shí)施、許可或投資類(lèi)似專(zhuān)利技術(shù)，可聯(lián)系本專(zhuān)利的申請(qǐng)人或?qū)＠麢?quán)人南通恒銳半導(dǎo)體有限公司，其通訊地址為：226500 江蘇省南通市如皋市如城街道賀洋村四組188號(hào)；或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服，聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。